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IPB025N10N3GATMA1

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Infineon Technologies ipb025n10n3g_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Infineon Technologies ipb025n10n3g_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Infineon Technologies IPB025N10N3+G_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ab1d9d51349 Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+4.59 EUR
3000+4.41 EUR
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IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Infineon Technologies ipb025n10n3g_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 297 Stücke:
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IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Infineon Technologies ipb025n10n3g_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB025N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 180A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
On-state resistance: 2.5mΩ
auf Bestellung 865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+7.87 EUR
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15+5.81 EUR
100+5.02 EUR
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IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Infineon Technologies ipb025n10n3g_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3470 Stücke:
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17+10.36 EUR
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IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Infineon Technologies ipb025n10n3g_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3470 Stücke:
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16+10.89 EUR
24+7.2 EUR
50+5.58 EUR
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500+4.22 EUR
1000+3.87 EUR
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IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Infineon Technologies ipb025n10n3g_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB025N10N3G_DS_v02_03_en.pdf MOSFETs N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
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IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Infineon Technologies IPB025N10N3+G_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ab1d9d51349 Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
auf Bestellung 9138 Stücke:
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2+12.21 EUR
10+8.18 EUR
50+6.44 EUR
100+5.88 EUR
500+5.11 EUR
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IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 INFINEON INFNS16275-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB025N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
auf Bestellung 2768 Stücke:
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16+15.74 EUR
25+9.63 EUR
100+6.64 EUR
500+6.1 EUR
1000+5.72 EUR
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IPB025N10N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 438000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+4.27 EUR
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IPB025N10N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
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IPB025N10N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1000+4.5 EUR
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IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3+G_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ab1d9d51349
IPB025N10N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+4.59 EUR
3000+4.41 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IPB025N10N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
27+6.68 EUR
32+5.44 EUR
50+4.7 EUR
100+4.41 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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IPB025N10N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
26+6.77 EUR
32+5.4 EUR
50+4.59 EUR
100+4.24 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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IPB025N10N3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 180A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
On-state resistance: 2.5mΩ
auf Bestellung 865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+7.87 EUR
13+7.04 EUR
15+5.81 EUR
100+5.02 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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IPB025N10N3GATMA1 ipb025n10n3g_rev2.1.pdf
IPB025N10N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+10.36 EUR
25+7.07 EUR
100+5.15 EUR
500+4.65 EUR
1000+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IPB025N10N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+10.89 EUR
24+7.2 EUR
50+5.58 EUR
100+5.02 EUR
500+4.22 EUR
1000+3.87 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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IPB025N10N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3470 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
16+10.9 EUR
24+7.37 EUR
50+5.81 EUR
100+5.32 EUR
500+4.58 EUR
1000+4.31 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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IPB025N10N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
auf Bestellung 1135 Stücke:
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IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3+G_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ab1d9d51349
IPB025N10N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
auf Bestellung 9138 Stücke:
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2+12.21 EUR
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500+5.11 EUR
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IPB025N10N3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB025N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
auf Bestellung 2768 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
16+15.74 EUR
25+9.63 EUR
100+6.64 EUR
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