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IPB025N10N3GATMA1

IPB025N10N3+G_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ab1d9d51349
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Infineon Technologies ipb025n10n3g_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 424000 Stücke:
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IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Infineon Technologies ipb025n10n3g_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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1000+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Infineon Technologies IPB025N10N3+G_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ab1d9d51349 Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+4.34 EUR
2000+4.18 EUR
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IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Infineon Technologies ipb025n10n3g_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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1000+4.83 EUR
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auf Bestellung 297 Stücke:
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27+6.52 EUR
33+5.32 EUR
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IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB025N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 932 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+7.87 EUR
13+7.04 EUR
15+5.81 EUR
100+5.02 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Infineon Technologies ipb025n10n3g_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.36 EUR
25+6.91 EUR
100+4.96 EUR
500+4.4 EUR
1000+4.05 EUR
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IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Infineon Technologies ipb025n10n3g_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3470 Stücke:
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17+10.36 EUR
25+7.07 EUR
100+5.15 EUR
500+4.65 EUR
1000+4.39 EUR
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IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Infineon Technologies IPB025N10N3+G_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ab1d9d51349 Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
auf Bestellung 9562 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+7.72 EUR
100+5.56 EUR
500+5.12 EUR
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IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Infineon Technologies ipb025n10n3g_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 299 Stücke:
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14+12.59 EUR
21+8.18 EUR
100+5.71 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB025N10N3G_DS_v02_03_en.pdf MOSFETs N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
auf Bestellung 1135 Stücke:
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1+13.51 EUR
10+8.71 EUR
100+6.89 EUR
500+6.14 EUR
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2000+5.01 EUR
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IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 INFINEON INFNS16275-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB025N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
auf Bestellung 2803 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.52 EUR
25+9.53 EUR
100+6.58 EUR
500+6.05 EUR
1000+5.65 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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IPB025N10N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 424000 Stücke:
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1000+4.03 EUR
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IPB025N10N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPB025N10N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IPB025N10N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+4.83 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IPB025N10N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
27+6.52 EUR
33+5.32 EUR
100+4.37 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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IPB025N10N3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 932 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+7.87 EUR
13+7.04 EUR
15+5.81 EUR
100+5.02 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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IPB025N10N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+10.36 EUR
25+6.91 EUR
100+4.96 EUR
500+4.4 EUR
1000+4.05 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IPB025N10N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+10.36 EUR
25+7.07 EUR
100+5.15 EUR
500+4.65 EUR
1000+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3+G_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ab1d9d51349
IPB025N10N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
auf Bestellung 9562 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+11.54 EUR
10+7.72 EUR
100+5.56 EUR
500+5.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPB025N10N3GATMA1 ipb025n10n3g_rev2.1.pdf
IPB025N10N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+12.59 EUR
21+8.18 EUR
100+5.71 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
auf Bestellung 1135 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+13.51 EUR
10+8.71 EUR
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500+6.14 EUR
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2000+5.01 EUR
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IPB025N10N3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB025N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
auf Bestellung 2803 Stücke:
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19+13.52 EUR
25+9.53 EUR
100+6.58 EUR
500+6.05 EUR
1000+5.65 EUR
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