IPB026N06NATMA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 3.48 EUR |
| 10+ | 2.52 EUR |
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| 250+ | 1.92 EUR |
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Technische Details IPB026N06NATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB026N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IPB026N06NATMA1 nach Preis ab 1.49 EUR bis 3.82 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IPB026N06NATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 60V 25A/100A D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V |
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IPB026N06NATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IPB026N06NATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB026N06NATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB026N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 323 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB026N06NATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB026N06NATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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| IPB026N06NATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPB026N06NATMA1 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPB026N06NATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPB026N06NATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 25A/100A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V |
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