Produkte > UMW > IPB027N10N3G
IPB027N10N3G

IPB027N10N3G UMW


027414fc05735ca7e91a2033c67924ea.pdf Hersteller: UMW
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Power Dissipation (Max): 300W
Supplier Device Package: TO-263-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
auf Bestellung 610 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.56 EUR
10+2.28 EUR
100+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPB027N10N3G UMW

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A, Power Dissipation (Max): 300W, Supplier Device Package: TO-263-3, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V.

Weitere Produktangebote IPB027N10N3G nach Preis ab 2.94 EUR bis 8.66 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IPB027N10N3 G IPB027N10N3 G Hersteller : Infineon Technologies ipb027n10n3g_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+3.68 EUR
6000+3.26 EUR
9000+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB027N10N3 G IPB027N10N3 G Hersteller : Infineon Technologies ipb027n10n3g_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB027N10N3 G IPB027N10N3 G Hersteller : Infineon Technologies ipb027n10n3g_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
24+6.33 EUR
25+5.84 EUR
50+5.41 EUR
100+5.03 EUR
250+4.68 EUR
500+4.36 EUR
1000+4.07 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB027N10N3 G IPB027N10N3 G Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPB027N10N3G_DS_v02_04_en.pdf MOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
auf Bestellung 5331 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.66 EUR
1000+7.43 EUR
2000+7.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB027N10N3 G Hersteller : Infineon
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB027N10N3G IPB027N10N3G Hersteller : UMW 027414fc05735ca7e91a2033c67924ea.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Power Dissipation (Max): 300W
Supplier Device Package: TO-263-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH