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IPB027N10N3G

IPB027N10N3G UMW


027414fc05735ca7e91a2033c67924ea.pdf
Hersteller: UMW
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Power Dissipation (Max): 300W
Supplier Device Package: TO-263-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
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Technische Details IPB027N10N3G UMW

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A, Power Dissipation (Max): 300W, Supplier Device Package: TO-263-3, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V.

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IPB027N10N3G IPB027N10N3G Hersteller : UMW 027414fc05735ca7e91a2033c67924ea.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Power Dissipation (Max): 300W
Supplier Device Package: TO-263-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
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IPB027N10N3 G IPB027N10N3 G Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPB027N10N3G_DS_v02_04_en.pdf MOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
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IPB027N10N3 G IPB027N10N3 G Hersteller : Infineon Technologies ipb027n10n3g_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IPB027N10N3 G Hersteller : Infineon
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IPB027N10N3G Hersteller : Infineon 027414fc05735ca7e91a2033c67924ea.pdf N-channel, 100V, 120A, 2.3mOhm TO-263-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IPB027N10N3G Hersteller : UMW 027414fc05735ca7e91a2033c67924ea.pdf Код виробника: IPB027N10N3G(UMW) N-channel, 100V, 120A, 2.3mOhm TO-263-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IPB027N10N3G Hersteller : VBSEMI 027414fc05735ca7e91a2033c67924ea.pdf Код виробника: IPB027N10N3G-VB N-channel, 100V, 120A, 2.3mOhm TO-263-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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