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IPB027N10N3G

IPB027N10N3G UMW

027414fc05735ca7e91a2033c67924ea.pdf Hersteller: UMW
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Power Dissipation (Max): 300W
Supplier Device Package: TO-263-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
auf Bestellung 610 Stücke:
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Technische Details IPB027N10N3G UMW

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A, Power Dissipation (Max): 300W, Supplier Device Package: TO-263-3, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IPB027N10N3 G IPB027N10N3 G Hersteller : Infineon Technologies ipb027n10n3g_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 11000 Stücke:
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1000+4.02 EUR
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IPB027N10N3 G IPB027N10N3 G Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPB027N10N3G-DS-v02_04-en.pdf MOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
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IPB027N10N3 G Hersteller : Infineon
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IPB027N10N3G IPB027N10N3G Hersteller : UMW 027414fc05735ca7e91a2033c67924ea.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Power Dissipation (Max): 300W
Supplier Device Package: TO-263-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
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