Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB027N10N3GATMA1
IPB027N10N3GATMA1

IPB027N10N3GATMA1 Infineon Technologies

ipb027n10n3g_rev2.2.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
36+4.36 EUR
50+ 4.04 EUR
100+ 3.76 EUR
250+ 3.5 EUR
500+ 3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPB027N10N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB027N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm.

Weitere Produktangebote IPB027N10N3GATMA1 nach Preis ab 3.34 EUR bis 10.74 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies ipb027n10n3g_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1256 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
34+4.73 EUR
Mindestbestellmenge: 34
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies IPB027N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ed9348e15ef Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+5.55 EUR
2000+ 5.22 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies ipb027n10n3g_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1256 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
17+9.72 EUR
19+ 8.04 EUR
25+ 7.54 EUR
100+ 5.94 EUR
250+ 4.59 EUR
500+ 3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 17
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies ipb027n10n3g_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
16+10.26 EUR
21+ 7.2 EUR
50+ 6.16 EUR
100+ 5.57 EUR
200+ 5.04 EUR
500+ 4.5 EUR
1000+ 4.04 EUR
Mindestbestellmenge: 16
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPB027N10N3G_DS_v02_04_en-1226953.pdf MOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
auf Bestellung 2049 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+10.65 EUR
10+ 8.94 EUR
25+ 8.68 EUR
100+ 7.23 EUR
250+ 7.02 EUR
500+ 6.42 EUR
1000+ 5.4 EUR
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies IPB027N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ed9348e15ef Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
auf Bestellung 10504 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+10.74 EUR
10+ 9.01 EUR
100+ 7.29 EUR
500+ 6.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Hersteller : INFINEON 1849751.html Description: INFINEON - IPB027N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
auf Bestellung 4558 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Hersteller : INFINEON IPB027N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ed9348e15ef Description: INFINEON - IPB027N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
auf Bestellung 11140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies ipb027n10n3g_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies ipb027n10n3g_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IPB027N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IPB027N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar