Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB027N10N5ATMA1
IPB027N10N5ATMA1

IPB027N10N5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB027N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014adf44f3dd7c86 Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 184µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPB027N10N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB027N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 166A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IPB027N10N5ATMA1 nach Preis ab 3.33 EUR bis 8.58 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 1266470315644486infineon-ipb027n10n5-ds-v02_03-en.pdffileid5546d4624ad04ef9014adf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
32+4.71 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 1266470315644486infineon-ipb027n10n5-ds-v02_03-en.pdffileid5546d4624ad04ef9014adf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 736 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
29+5.17 EUR
30+4.77 EUR
50+4.42 EUR
100+4.10 EUR
250+3.82 EUR
500+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPB027N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014adf44f3dd7c86 Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 184µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V
auf Bestellung 1241 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.83 EUR
10+4.29 EUR
100+3.73 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPB027N10N5_DS_v02_04_EN-1226980.pdf MOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2
auf Bestellung 1341 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.37 EUR
10+5.40 EUR
25+5.17 EUR
100+4.08 EUR
250+4.03 EUR
500+3.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 1266470315644486infineon-ipb027n10n5-ds-v02_03-en.pdffileid5546d4624ad04ef9014adf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
19+7.87 EUR
23+6.44 EUR
25+5.95 EUR
100+4.82 EUR
250+4.46 EUR
500+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 1266470315644486infineon-ipb027n10n5-ds-v02_03-en.pdffileid5546d4624ad04ef9014adf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2064 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
18+8.58 EUR
21+7.00 EUR
50+5.13 EUR
100+4.91 EUR
200+4.44 EUR
500+3.75 EUR
1000+3.50 EUR
2000+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5ATMA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0003614453-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB027N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5ATMA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0003614453-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB027N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 1266470315644486infineon-ipb027n10n5-ds-v02_03-en.pdffileid5546d4624ad04ef9014adf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 1266470315644486infineon-ipb027n10n5-ds-v02_03-en.pdffileid5546d4624ad04ef9014adf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5ATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IPB027N10N5-dte.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5ATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IPB027N10N5-dte.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH