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IPB027N10N5ATMA1

IPB027N10N5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB027N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014adf44f3dd7c86
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 184µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V
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Technische Details IPB027N10N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB027N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 166A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipb027n10n5datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+3.46 EUR
46+3.09 EUR
47+2.95 EUR
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IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipb027n10n5datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipb027n10n5datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.03 EUR
100+3.55 EUR
500+3.33 EUR
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IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB027N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014adf44f3dd7c86 Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
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Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
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IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB027N10N5_DS_v02_04_EN.pdf MOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 84 Stücke:
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IPB027N10N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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AnzahlPreis
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Trans MOSFET N-CH 100V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 234 Stücke:
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Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
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Part Status: Active
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Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V
auf Bestellung 2681 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
3+8.45 EUR
10+5.62 EUR
100+4.02 EUR
500+3.6 EUR
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MOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2
auf Bestellung 1330 Stücke:
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AnzahlPreis
1+9.87 EUR
10+6.46 EUR
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB027N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 84 Stücke:
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IPB027N10N5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB027N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
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Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 84 Stücke:
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