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IPB027N10N5ATMA1

IPB027N10N5ATMA1 Infineon Technologies

infineonipb027n10n5datasheeten.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 234 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
75+2.32 EUR
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Technische Details IPB027N10N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB027N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 166A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 250W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm.

Weitere Produktangebote IPB027N10N5ATMA1 nach Preis ab 1.96 EUR bis 12.15 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipb027n10n5datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB027N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014adf44f3dd7c86 Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 184µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+3.92 EUR
2000+3.71 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipb027n10n5datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 571 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.4 EUR
100+4.51 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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auf Bestellung 1765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.84 EUR
28+6.33 EUR
100+4.58 EUR
500+3.94 EUR
1000+3.63 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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auf Bestellung 1765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.84 EUR
28+6.2 EUR
100+4.41 EUR
500+3.74 EUR
1000+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB027N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014adf44f3dd7c86 Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 184µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V
auf Bestellung 2303 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.6 EUR
10+7.06 EUR
100+5.05 EUR
500+4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB027N10N5_DS_v02_04_EN.pdf MOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2
auf Bestellung 1204 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.83 EUR
10+6.97 EUR
100+5.59 EUR
500+4.82 EUR
1000+4.19 EUR
2000+3.92 EUR
5000+3.89 EUR
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IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0003614453-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB027N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.15 EUR
32+7.28 EUR
50+5.84 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0003614453-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB027N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 69 Stücke
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IPB027N10N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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AnzahlPrivatkunde
75+2.32 EUR
78+2.23 EUR
79+2.15 EUR
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Mindestbestellmenge: 75 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
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Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
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1000+3.92 EUR
2000+3.71 EUR
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Trans MOSFET N-CH 100V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 571 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+6.4 EUR
100+4.51 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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auf Bestellung 1765 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
20+8.84 EUR
28+6.33 EUR
100+4.58 EUR
500+3.94 EUR
1000+3.63 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IPB027N10N5ATMA1
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Trans MOSFET N-CH 100V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+8.84 EUR
28+6.2 EUR
100+4.41 EUR
500+3.74 EUR
1000+3.36 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 184µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V
auf Bestellung 2303 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+10.6 EUR
10+7.06 EUR
100+5.05 EUR
500+4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPB027N10N5ATMA1
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MOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2
auf Bestellung 1204 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+10.83 EUR
10+6.97 EUR
100+5.59 EUR
500+4.82 EUR
1000+4.19 EUR
2000+3.92 EUR
5000+3.89 EUR
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IPB027N10N5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB027N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Dauer-Drainstrom Id: 166A
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+12.15 EUR
32+7.28 EUR
50+5.84 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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IPB027N10N5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB027N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH