Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > IPB029N06N3GATMA1

IPB029N06N3GATMA1

IPP032N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a84ff084cc8
Produktcode: 150736
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote IPB029N06N3GATMA1 nach Preis ab 1.42 EUR bis 7.34 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB029N06N3GATMA1 IPB029N06N3GATMA1 Infineon Technologies ipp032n06n3_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.78 EUR
2000+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB029N06N3GATMA1 IPB029N06N3GATMA1 Infineon Technologies ipp032n06n3_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.78 EUR
2000+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB029N06N3GATMA1 IPB029N06N3GATMA1 Infineon Technologies IPP032N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a84ff084cc8 Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB029N06N3GATMA1 IPB029N06N3GATMA1 INFINEON INFNS16314-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB029N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.83 EUR
500+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB029N06N3GATMA1 IPB029N06N3GATMA1 Infineon Technologies ipp032n06n3_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 944 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.69 EUR
100+2.45 EUR
500+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB029N06N3GATMA1 IPB029N06N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB029N06N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.75 EUR
35+2.46 EUR
50+1.94 EUR
100+1.75 EUR
200+1.58 EUR
500+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB029N06N3GATMA1 IPB029N06N3GATMA1 Infineon Technologies ipp032n06n3_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 944 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.65 EUR
55+3.12 EUR
100+2.26 EUR
500+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB029N06N3GATMA1 IPB029N06N3GATMA1 Infineon Technologies IPP032N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a84ff084cc8 Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
auf Bestellung 2649 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.32 EUR
10+3.45 EUR
100+2.38 EUR
500+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB029N06N3GATMA1 IPB029N06N3GATMA1 INFINEON INFNS16314-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB029N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.34 EUR
53+4.4 EUR
100+2.83 EUR
500+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB029N06N3GATMA1 Infineon Technologies IPP032N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a84ff084cc8 Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB029N06N3GATMA1 ipp032n06n3_rev2.0.pdf
IPB029N06N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+1.78 EUR
2000+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB029N06N3GATMA1 ipp032n06n3_rev2.0.pdf
IPB029N06N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+1.78 EUR
2000+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB029N06N3GATMA1 IPP032N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a84ff084cc8
IPB029N06N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB029N06N3GATMA1 INFNS16314-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB029N06N3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB029N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.83 EUR
500+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB029N06N3GATMA1 ipp032n06n3_rev2.0.pdf
IPB029N06N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 944 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
48+3.69 EUR
100+2.45 EUR
500+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB029N06N3GATMA1 IPB029N06N3G-DTE.pdf
IPB029N06N3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
23+3.75 EUR
35+2.46 EUR
50+1.94 EUR
100+1.75 EUR
200+1.58 EUR
500+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB029N06N3GATMA1 ipp032n06n3_rev2.0.pdf
IPB029N06N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 944 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
38+4.65 EUR
55+3.12 EUR
100+2.26 EUR
500+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB029N06N3GATMA1 IPP032N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a84ff084cc8
IPB029N06N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
auf Bestellung 2649 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+5.32 EUR
10+3.45 EUR
100+2.38 EUR
500+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB029N06N3GATMA1 INFNS16314-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB029N06N3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB029N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
35+7.34 EUR
53+4.4 EUR
100+2.83 EUR
500+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB029N06N3GATMA1 IPP032N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a84ff084cc8
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
97+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH