IPB029N06NF2SATMA1 Infineon Technologies

---

Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V

auf Bestellung 1600 Stücke:

---

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
800+	1.22 EUR
1600+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 800

kaufen

Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

Produktrezensionen

Produktbewertung abgeben

Technische Details IPB029N06NF2SATMA1 Infineon Technologies

Weitere Produktangebote IPB029N06NF2SATMA1 nach Preis ab 1.20 EUR bis 2.96 EUR

Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit entfalten einschränken alle	Preis
	IPB029N06NF2SATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V	auf Bestellung 1613 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e)	Anzahl Preis 7+ 2.89 EUR 10+ 2.10 EUR 100+ 1.43 EUR Mindestbestellmenge: 7 kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
	IPB029N06NF2SATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	MOSFETs TRENCH 40<-<100V	auf Bestellung 366 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e)	Anzahl Preis 1+ 2.96 EUR 10+ 2.18 EUR 100+ 1.35 EUR 250+ 1.33 EUR 800+ 1.31 EUR kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
	IPB029N06NF2SATMA1	Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Anzahl Preis 800+ 1.20 EUR Mindestbestellmenge: 800 kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
	IPB029N06NF2SATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH