IPB031NE7N3GATMA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 7.83 EUR |
| 10+ | 7 EUR |
| 100+ | 5.74 EUR |
| 250+ | 5.4 EUR |
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Technische Details IPB031NE7N3GATMA1 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO263-3, Case: PG-TO263-3, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™ 3, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, On-state resistance: 3.1mΩ, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 75V, Drain current: 100A, Power dissipation: 214W.
Weitere Produktangebote IPB031NE7N3GATMA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IPB031NE7N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3-2 |
auf Bestellung 3216 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPB031NE7N3GATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO263-3 Case: PG-TO263-3 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Mounting: SMD Polarisation: unipolar On-state resistance: 3.1mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 75V Drain current: 100A Power dissipation: 214W |
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