IPB036N12N3GATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V
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Technische Details IPB036N12N3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB036N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 180 A, 0.0029 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 300, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote IPB036N12N3GATMA1 nach Preis ab 6.39 EUR bis 12.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IPB036N12N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V |
auf Bestellung 2010 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPB036N12N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 |
auf Bestellung 3875 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPB036N12N3GATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB036N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 180 A, 0.0029 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 euEccn: NLR Verlustleistung: 300 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 3490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB036N12N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB036N12N3GATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 180A; 300W; PG-TO263-3 Mounting: SMD Case: PG-TO263-3 On-state resistance: 3.6mΩ Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Drain current: 180A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 120V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPB036N12N3GATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 180A; 300W; PG-TO263-3 Mounting: SMD Case: PG-TO263-3 On-state resistance: 3.6mΩ Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Drain current: 180A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 120V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V |
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