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IPB037N06N3GATMA1

IPB037N06N3GATMA1 Infineon Technologies

ipb037n06n3g_rev1.01.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details IPB037N06N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA, Power Dissipation (Max): 188W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB037N06N3GATMA1 IPB037N06N3GATMA1 Infineon Technologies ipb037n06n3g_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IPB037N06N3GATMA1 IPB037N06N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB037N06N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
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IPB037N06N3GATMA1 IPB037N06N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB037N06N3_G_DS_v02_00_EN.pdf MOSFETs N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
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Description: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
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Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
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