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IPB038N12N3GATMA1

IPB038N12N3GATMA1 Infineon Technologies

6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details IPB038N12N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB038N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3GATMA1 Infineon Technologies 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 11000 Stücke:
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auf Bestellung 178000 Stücke:
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IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3GATMA1 Infineon Technologies IPP_I_B041N12N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a75b86467ca4 Description: MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
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3000+4.5 EUR
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IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB038N12N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 61 Stücke:
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18+4.74 EUR
25+4.24 EUR
50+3.93 EUR
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auf Bestellung 3000 Stücke:
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130+5.05 EUR
500+4.71 EUR
1000+4.34 EUR
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IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3GATMA1 INFINEON INFNS29924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB038N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
auf Bestellung 702 Stücke:
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100+6.32 EUR
200+5.12 EUR
500+4.58 EUR
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IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3GATMA1 Infineon Technologies 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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22+8.15 EUR
31+5.47 EUR
34+4.84 EUR
100+3.61 EUR
250+3.43 EUR
500+3.06 EUR
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31+5.59 EUR
34+5.03 EUR
100+3.81 EUR
250+3.71 EUR
500+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3GATMA1 Infineon Technologies 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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32+5.32 EUR
50+5.06 EUR
100+4.01 EUR
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.59 EUR
32+5.45 EUR
50+5.26 EUR
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IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3GATMA1 INFINEON INFNS29924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB038N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
auf Bestellung 702 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.27 EUR
34+6.87 EUR
50+6.32 EUR
200+5.12 EUR
500+4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPP_I_B041N12N3_DS_v02_03_en.pdf MOSFETs N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
auf Bestellung 2096 Stücke:
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1+11.5 EUR
10+7.64 EUR
100+5.55 EUR
500+5.09 EUR
1000+4.82 EUR
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IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3GATMA1 Infineon Technologies IPP_I_B041N12N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a75b86467ca4 Description: MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 39254 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.38 EUR
10+8.29 EUR
50+6.53 EUR
100+5.97 EUR
500+5.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPB038N12N3GATMA1 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf
IPB038N12N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+3.87 EUR
3000+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IPB038N12N3GATMA1 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf
IPB038N12N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 178000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+4.56 EUR
3000+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IPB038N12N3GATMA1 IPP_I_B041N12N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a75b86467ca4
IPB038N12N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+4.66 EUR
3000+4.5 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3G-DTE.pdf
IPB038N12N3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+4.74 EUR
25+4.24 EUR
50+3.93 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB038N12N3GATMA1 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf
IPB038N12N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
130+5.05 EUR
500+4.71 EUR
1000+4.34 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB038N12N3GATMA1 INFNS29924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB038N12N3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB038N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
auf Bestellung 702 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+6.32 EUR
200+5.12 EUR
500+4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPB038N12N3GATMA1 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf
IPB038N12N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 729 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
22+8.15 EUR
31+5.47 EUR
34+4.84 EUR
100+3.61 EUR
250+3.43 EUR
500+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB038N12N3GATMA1 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf
IPB038N12N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 729 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
22+8.15 EUR
31+5.59 EUR
34+5.03 EUR
100+3.81 EUR
250+3.71 EUR
500+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB038N12N3GATMA1 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf
IPB038N12N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2603 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+8.58 EUR
32+5.32 EUR
50+5.06 EUR
100+4.01 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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IPB038N12N3GATMA1 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf
IPB038N12N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2603 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+8.59 EUR
32+5.45 EUR
50+5.26 EUR
100+4.24 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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IPB038N12N3GATMA1 INFNS29924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB038N12N3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB038N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
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25+10.27 EUR
34+6.87 EUR
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200+5.12 EUR
500+4.58 EUR
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IPB038N12N3GATMA1 Infineon_IPP_I_B041N12N3_DS_v02_03_en.pdf
IPB038N12N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
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1+11.5 EUR
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IPB038N12N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
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2+12.38 EUR
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