IPB038N15NM6ATMA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 41+ | 4.33 EUR |
| 47+ | 3.72 EUR |
| 50+ | 3.42 EUR |
| 100+ | 3.15 EUR |
| 250+ | 3.09 EUR |
| 500+ | 3.03 EUR |
| 1000+ | 2.95 EUR |
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Technische Details IPB038N15NM6ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB038N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 156 A, 0.0036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 156A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 294W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPB038N15NM6ATMA1 nach Preis ab 2.59 EUR bis 9.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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IPB038N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB038N15NM6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB038N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 156 A, 0.0036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 988 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB038N15NM6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB038N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 156 A, 0.0036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 156A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 294W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 988 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB038N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package |
auf Bestellung 152 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB038N15NM6ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 40+ | 4.41 EUR |
| 46+ | 3.7 EUR |
| 49+ | 3.32 EUR |
| 100+ | 3.02 EUR |
| 250+ | 2.88 EUR |
| 500+ | 2.74 EUR |
| 1000+ | 2.59 EUR |
| IPB038N15NM6ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB038N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 156 A, 0.0036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Description: INFINEON - IPB038N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 156 A, 0.0036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 5.91 EUR |
| 500+ | 5.44 EUR |
| IPB038N15NM6ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB038N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 156 A, 0.0036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 156A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPB038N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 156 A, 0.0036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 29+ | 8.9 EUR |
| 33+ | 7.18 EUR |
| 100+ | 5.91 EUR |
| 500+ | 5.44 EUR |
| IPB038N15NM6ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package
MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 9.45 EUR |
| 10+ | 6.26 EUR |
| 100+ | 5.09 EUR |
| 500+ | 4.55 EUR |
| 1000+ | 3.83 EUR |