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IPB038N15NM6ATMA1

IPB038N15NM6ATMA1 Infineon Technologies

infineonipb038n15nm6datasheetv0100en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details IPB038N15NM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB038N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 156 A, 0.0036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 156A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 294W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IPB038N15NM6ATMA1 IPB038N15NM6ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonipb038n15nm6datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IPB038N15NM6ATMA1 IPB038N15NM6ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPB038N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 156A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
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