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IPB040N08NF2SATMA1

IPB040N08NF2SATMA1 Infineon Technologies

infineonipb040n08nf2sdatasheetv0200en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details IPB040N08NF2SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB040N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 107 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 107A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 150W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StronglRFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB040N08NF2SATMA1 IPB040N08NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipb040n08nf2sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IPB040N08NF2SATMA1 IPB040N08NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipb040n08nf2sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IPB040N08NF2SATMA1 IPB040N08NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipb040n08nf2sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IPB040N08NF2SATMA1 IPB040N08NF2SATMA1 INFINEON 3812006.pdf Description: INFINEON - IPB040N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 107 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 702 Stücke:
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100+3.05 EUR
500+2.52 EUR
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IPB040N08NF2SATMA1 IPB040N08NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB040N08NF2S_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET > 60-80V
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IPB040N08NF2SATMA1 IPB040N08NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB040N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4dc00361b15 Description: MOSFET N-CH 80V 107A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V
auf Bestellung 750 Stücke:
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5+4.55 EUR
10+2.92 EUR
50+2.21 EUR
100+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IPB040N08NF2SATMA1 IPB040N08NF2SATMA1 INFINEON 3812006.pdf Description: INFINEON - IPB040N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 107 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 702 Stücke:
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61+3.86 EUR
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Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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800+1.09 EUR
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Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 25100 Stücke:
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB040N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 107 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 702 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.05 EUR
500+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET > 60-80V
auf Bestellung 489 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.46 EUR
10+2.89 EUR
100+1.82 EUR
500+1.48 EUR
800+1.32 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 107A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.55 EUR
10+2.92 EUR
50+2.21 EUR
100+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IPB040N08NF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB040N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 107 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 702 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
44+5.7 EUR
61+3.86 EUR
100+3.05 EUR
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