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IPB040N08NF2SATMA1

IPB040N08NF2SATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPB040N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH 40<-<100V
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Technische Details IPB040N08NF2SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB040N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 107 A, 0.0035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 107A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StronglRFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IPB040N08NF2SATMA1 IPB040N08NF2SATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPB040N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4dc00361b15 Description: MOSFET N-CH 80V 107A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V
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IPB040N08NF2SATMA1 IPB040N08NF2SATMA1 Hersteller : INFINEON 3812006.pdf Description: INFINEON - IPB040N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 107 A, 0.0035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IPB040N08NF2SATMA1 IPB040N08NF2SATMA1 Hersteller : INFINEON 3812006.pdf Description: INFINEON - IPB040N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 107 A, 0.0035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IPB040N08NF2SATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB040N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4dc00361b15 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 80V; 107A; 150W; D2PAK,TO263; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 107A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Electrical mounting: SMT
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Anzahl Preis
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Mindestbestellmenge: 800
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IPB040N08NF2SATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPB040N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4dc00361b15 SP005571698
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IPB040N08NF2SATMA1 IPB040N08NF2SATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPB040N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4dc00361b15 Description: MOSFET N-CH 80V 107A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V
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