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IPB042N10N3GATMA1

IPP045N10N3+G_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1e8b0cc31586
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3GATMA1 Infineon Technologies 1266191587085677ipp045n10n3g_rev2.3.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.57 EUR
3000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3GATMA1 Infineon Technologies 1266191587085677ipp045n10n3g_rev2.3.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.57 EUR
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3GATMA1 Infineon Technologies IPP045N10N3+G_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1e8b0cc31586 Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V
auf Bestellung 17603 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+2.15 EUR
3000+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3GATMA1 INFINEON INFN-S-A0003614491-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB042N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
auf Bestellung 1140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.11 EUR
200+2.59 EUR
500+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB042N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
auf Bestellung 982 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.57 EUR
35+2.49 EUR
39+2.19 EUR
50+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3GATMA1 Infineon Technologies 1266191587085677ipp045n10n3g_rev2.3.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1372 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.51 EUR
58+2.92 EUR
60+2.7 EUR
100+2.01 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3GATMA1 Infineon Technologies 1266191587085677ipp045n10n3g_rev2.3.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1372 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.52 EUR
58+2.99 EUR
60+2.81 EUR
100+2.13 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB042N10N3_G_DS_v02_09_EN.pdf MOSFETs N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
auf Bestellung 4175 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.24 EUR
10+3.14 EUR
100+2.83 EUR
500+2.31 EUR
1000+2.12 EUR
2000+2.09 EUR
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IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3GATMA1 Infineon Technologies IPP045N10N3+G_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1e8b0cc31586 Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V
auf Bestellung 17603 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.34 EUR
10+4.14 EUR
50+3.18 EUR
100+2.87 EUR
500+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3GATMA1 INFINEON INFN-S-A0003614491-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB042N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
auf Bestellung 1140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+6.5 EUR
60+3.9 EUR
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Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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IPB042N10N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+1.57 EUR
3000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IPB042N10N3GATMA1 1266191587085677ipp045n10n3g_rev2.3.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf
IPB042N10N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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IPB042N10N3GATMA1 IPP045N10N3+G_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1e8b0cc31586
IPB042N10N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V
auf Bestellung 17603 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+2.15 EUR
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IPB042N10N3GATMA1 INFN-S-A0003614491-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB042N10N3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB042N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
auf Bestellung 1140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.11 EUR
200+2.59 EUR
500+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3G-DTE.pdf
IPB042N10N3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
auf Bestellung 982 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
24+3.57 EUR
35+2.49 EUR
39+2.19 EUR
50+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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IPB042N10N3GATMA1 1266191587085677ipp045n10n3g_rev2.3.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf
IPB042N10N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1372 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
39+4.51 EUR
58+2.92 EUR
60+2.7 EUR
100+2.01 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB042N10N3GATMA1 1266191587085677ipp045n10n3g_rev2.3.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf
IPB042N10N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1372 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
39+4.52 EUR
58+2.99 EUR
60+2.81 EUR
100+2.13 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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IPB042N10N3GATMA1 Infineon_IPB042N10N3_G_DS_v02_09_EN.pdf
IPB042N10N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
auf Bestellung 4175 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+6.24 EUR
10+3.14 EUR
100+2.83 EUR
500+2.31 EUR
1000+2.12 EUR
2000+2.09 EUR
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IPB042N10N3GATMA1 IPP045N10N3+G_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1e8b0cc31586
IPB042N10N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V
auf Bestellung 17603 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+6.34 EUR
10+4.14 EUR
50+3.18 EUR
100+2.87 EUR
500+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IPB042N10N3GATMA1 INFN-S-A0003614491-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB042N10N3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB042N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
auf Bestellung 1140 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
39+6.5 EUR
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69+3.11 EUR
200+2.59 EUR
500+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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