IPB042N10N3GATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPB042N10N3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB042N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IPB042N10N3GATMA1 nach Preis ab 1.34 EUR bis 4.72 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IPB042N10N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IPB042N10N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IPB042N10N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IPB042N10N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V |
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IPB042N10N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IPB042N10N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IPB042N10N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IPB042N10N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 219 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB042N10N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3 |
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IPB042N10N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V |
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IPB042N10N3GATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB042N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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IPB042N10N3GATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB042N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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IPB042N10N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 137A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB042N10N3GATMA1 Produktcode: 117738 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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IPB042N10N3GATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO263-3 Mounting: SMD Case: PG-TO263-3 Power dissipation: 214W Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 4.2mΩ Drain current: 100A Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Technology: OptiMOS™ 3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPB042N10N3GATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO263-3 Mounting: SMD Case: PG-TO263-3 Power dissipation: 214W Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 4.2mΩ Drain current: 100A Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Technology: OptiMOS™ 3 |
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