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IPB042N10N3GATMA1

Name: IPB042N10N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 2080900-3
Price: 1300.00 EUR
Availability: InStock

IPP045N10N3+G_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1e8b0cc31586

Produktcode: 117738

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Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

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Beschreibung

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IPB042N10N3GATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

auf Bestellung 19000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
1000+	1.3 EUR
2000+	1.21 EUR
3000+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

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IPB042N10N3GATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

1266191587085677ipp045n10n3g_rev2.3.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf

Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
1000+	1.43 EUR
2000+	1.28 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

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IPB042N10N3GATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
1000+	1.64 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

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IPB042N10N3GATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

auf Bestellung 2726 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
1+	4.28 EUR
10+	2.8 EUR
100+	1.9 EUR
500+	1.54 EUR
1000+	1.37 EUR

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IPB042N10N3GATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

auf Bestellung 19318 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
4+	4.47 EUR
10+	2.89 EUR
100+	1.98 EUR
500+	1.6 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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IPB042N10N3GATMA1

Hersteller : INFINEON

INFN-S-A0003614491-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IPB042N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 2519 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPB042N10N3GATMA1

Hersteller : INFINEON

Description: INFINEON - IPB042N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 2519 Stücke:

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IPB042N10N3GATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IPB042N10N3GATMA1

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 214W
Technology: OptiMOS™ 3
On-state resistance: 4.2mΩ

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