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IPB043N10NF2SATMA1

IPB043N10NF2SATMA1 Infineon Technologies

infineonipb043n10nf2sdatasheetv0200en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2140 Stücke:
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Technische Details IPB043N10NF2SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB043N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 135 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 135A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 167W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StronglRFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm.

Weitere Produktangebote IPB043N10NF2SATMA1 nach Preis ab 0.95 EUR bis 6.25 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB043N10NF2SATMA1 IPB043N10NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipb043n10nf2sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2144 Stücke:
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92+1.89 EUR
107+1.57 EUR
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IPB043N10NF2SATMA1 IPB043N10NF2SATMA1 INFINEON 3812007.pdf Description: INFINEON - IPB043N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 135 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
auf Bestellung 584 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.38 EUR
500+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPB043N10NF2SATMA1 IPB043N10NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipb043n10nf2sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 400 Stücke:
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46+3.82 EUR
67+2.42 EUR
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Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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IPB043N10NF2SATMA1 IPB043N10NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipb043n10nf2sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.83 EUR
67+2.51 EUR
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Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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IPB043N10NF2SATMA1 IPB043N10NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB043N10NF2S_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.15 EUR
10+3.33 EUR
100+2.34 EUR
500+1.73 EUR
800+1.63 EUR
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IPB043N10NF2SATMA1 IPB043N10NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB043N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4dc08991b18 Description: AUTOMOTIVE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.35mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.24 EUR
10+3.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IPB043N10NF2SATMA1 IPB043N10NF2SATMA1 INFINEON 3812007.pdf Description: INFINEON - IPB043N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 135 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
auf Bestellung 584 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+6.25 EUR
62+3.76 EUR
100+2.38 EUR
500+1.94 EUR
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109+1.5 EUR
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158+0.95 EUR
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IPB043N10NF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB043N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 135 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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Dauer-Drainstrom Id: 135A
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isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
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Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
auf Bestellung 584 Stücke:
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100+2.38 EUR
500+1.94 EUR
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auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
46+3.82 EUR
67+2.42 EUR
74+2.11 EUR
136+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
46+3.83 EUR
67+2.51 EUR
74+2.23 EUR
135+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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MOSFETs IFX FET >80 - 100V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+3.33 EUR
100+2.34 EUR
500+1.73 EUR
800+1.63 EUR
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IPB043N10NF2SATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: AUTOMOTIVE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.35mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V
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10+3.38 EUR
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB043N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 135 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135A
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
auf Bestellung 584 Stücke:
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40+6.25 EUR
62+3.76 EUR
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