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IPB044N15N5ATMA1

IPB044N15N5ATMA1 Infineon Technologies

infineonipb044n15n5dsv0200en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details IPB044N15N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 4400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 174A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm.

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IPB044N15N5ATMA1 IPB044N15N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipb044n15n5dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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IPB044N15N5ATMA1 IPB044N15N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB044N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f347501576ffd3e582757 Description: MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 87A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 75 V
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IPB044N15N5ATMA1 IPB044N15N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipb044n15n5dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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IPB044N15N5ATMA1 IPB044N15N5ATMA1 INFINEON 2371099.pdf Description: INFINEON - IPB044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 4400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
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24+7.54 EUR
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IPB044N15N5ATMA1 IPB044N15N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB044N15N5_DS_v02_00_EN.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 87A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 75 V
auf Bestellung 4172 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.33 EUR
10+6.9 EUR
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IPB044N15N5ATMA1 IPB044N15N5ATMA1 INFINEON 2371099.pdf Description: INFINEON - IPB044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 4400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1101 Stücke:
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20+12.72 EUR
30+7.94 EUR
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200+5.74 EUR
500+5.65 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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1000+3.89 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 87A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 75 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1000+4.05 EUR
2000+3.83 EUR
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Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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1000+4.05 EUR
2000+3.92 EUR
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Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 13619 Stücke:
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143+4.57 EUR
500+4.26 EUR
1000+3.94 EUR
10000+3.63 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 178000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1000+6.2 EUR
2000+5.88 EUR
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 4400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
auf Bestellung 1567 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+6.3 EUR
200+5.27 EUR
500+4.9 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+7.16 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IPB044N15N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2961 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
24+7.32 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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IPB044N15N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
24+7.5 EUR
25+6.91 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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IPB044N15N5ATMA1 infineonipb044n15n5dsv0200en.pdf
IPB044N15N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 845 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
24+7.54 EUR
29+6 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2180 Stücke:
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24+7.54 EUR
28+6.31 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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MOSFETs TRENCH >=100V
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1+9.59 EUR
10+6.33 EUR
100+5.05 EUR
500+4.96 EUR
1000+4.19 EUR
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IPB044N15N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 87A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 75 V
auf Bestellung 4172 Stücke:
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3+10.33 EUR
10+6.9 EUR
100+4.96 EUR
500+4.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IPB044N15N5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 4400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+12.72 EUR
30+7.94 EUR
50+6.53 EUR
200+5.74 EUR
500+5.65 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IPB044N15N5ATMA1 infineonipb044n15n5dsv0200en.pdf
IPB044N15N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
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IPB044N15N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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