IPB044N15N5ATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPB044N15N5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 174A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IPB044N15N5ATMA1 nach Preis ab 4.24 EUR bis 13.38 EUR
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IPB044N15N5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
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IPB044N15N5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
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IPB044N15N5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB044N15N5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
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IPB044N15N5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 87A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 75 V |
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IPB044N15N5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
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IPB044N15N5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
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IPB044N15N5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB044N15N5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 174A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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IPB044N15N5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 174A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IPB044N15N5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
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| IPB044N15N5ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPB044N15N5ATMA1 SMD N channel transistors |
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IPB044N15N5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 87A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 75 V |
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