IPB048N15N5ATMA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 15+ | 9.91 EUR |
| 20+ | 7.49 EUR |
| 25+ | 6.96 EUR |
| 100+ | 5.33 EUR |
| 500+ | 4.65 EUR |
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Technische Details IPB048N15N5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB048N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 0.0037 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPB048N15N5ATMA1 nach Preis ab 4.36 EUR bis 12.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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IPB048N15N5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IPB048N15N5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 958 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB048N15N5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
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IPB048N15N5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V |
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IPB048N15N5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 921 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB048N15N5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB048N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 0.0037 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IPB048N15N5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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| IPB048N15N5ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 118A; Idm: 480A; 300W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 118A Pulsed drain current: 480A Power dissipation: 300W Case: PG-TO 263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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IPB048N15N5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V |
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| IPB048N15N5ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 118A; Idm: 480A; 300W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 118A Pulsed drain current: 480A Power dissipation: 300W Case: PG-TO 263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 |
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