IPB057N15NM6ATMA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 3.53 EUR |
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit:
14-21 Tag (e)
Mindestmenge:
1000 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IPB057N15NM6ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB057N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 5400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 128A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 211W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm.
Weitere Produktangebote IPB057N15NM6ATMA1 nach Preis ab 2.14 EUR bis 6.88 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB057N15NM6ATMA1 | INFINEON |
 Description: INFINEON - IPB057N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 5400 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 128A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 211W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm |
auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| IPB057N15NM6ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB057N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 5400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 211W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
Description: INFINEON - IPB057N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 5400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 211W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 37+ | 6.88 EUR |
| 73+ | 3.18 EUR |
| 100+ | 2.65 EUR |
| 500+ | 2.14 EUR |