Technische Details IPB057N15NM6ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB057N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 5400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 128A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 211W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IPB057N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
 Description: TRENCH >=100VInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 112µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 211W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 52A, 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 128A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IPB057N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 112µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 211W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 52A, 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 128A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V |
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IPB057N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package |
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IPB057N15NM6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB057N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 5400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
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IPB057N15NM6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB057N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 5400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 128A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 211W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm |
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IPB057N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IPB057N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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| IPB057N15NM6ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 112µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 211W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 52A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 128A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TRENCH >=100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 112µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 211W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 52A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 128A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| IPB057N15NM6ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 112µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 211W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 52A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 128A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Description: TRENCH >=100V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 112µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 211W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 52A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 128A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
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Stück im Wert von UAH
| IPB057N15NM6ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package
MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| IPB057N15NM6ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB057N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 5400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - IPB057N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 5400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
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| IPB057N15NM6ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB057N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 5400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 211W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
Description: INFINEON - IPB057N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 5400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 211W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IPB057N15NM6ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
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| IPB057N15NM6ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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