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IPB057N15NM6ATMA1 INFINEON


Infineon-IPB057N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f446312e7c12
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB057N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 5400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.47 EUR
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Technische Details IPB057N15NM6ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPB057N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 5400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 128A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 211W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB057N15NM6ATMA1 IPB057N15NM6ATMA1 Infineon Technologies DS_IPB057N15NM6_en.pdf Description: TRENCH >=100V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 112µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 211W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 52A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 128A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
auf Bestellung 915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.09 EUR
10+3.97 EUR
100+2.76 EUR
500+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IPB057N15NM6ATMA1 IPB057N15NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB057N15NM6_DataSheet_v01_00_EN.pdf MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.12 EUR
10+3.97 EUR
100+3.03 EUR
500+2.57 EUR
1000+2.15 EUR
2000+2.07 EUR
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IPB057N15NM6ATMA1 IPB057N15NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IPB057N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f446312e7c12 Description: INFINEON - IPB057N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 5400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.12 EUR
48+4.89 EUR
100+3.47 EUR
500+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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IPB057N15NM6ATMA1 DS_IPB057N15NM6_en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 112µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 211W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 52A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 128A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
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MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+6.12 EUR
10+3.97 EUR
100+3.03 EUR
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1000+2.15 EUR
2000+2.07 EUR
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB057N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 5400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
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Dauer-Drainstrom Id: 128A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
31+8.12 EUR
48+4.89 EUR
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