Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB060N15N5ATMA1
IPB060N15N5ATMA1

IPB060N15N5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB060N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b5ca333d3364d Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 75 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+3.01 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPB060N15N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB060N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 136 A, 0.0048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 136A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IPB060N15N5ATMA1 nach Preis ab 2.7 EUR bis 8.06 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IPB060N15N5ATMA1 IPB060N15N5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPB060N15N5_DS_v02_00_EN.pdf MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
auf Bestellung 1140 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.39 EUR
10+4.93 EUR
100+3.82 EUR
500+3.63 EUR
1000+3.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB060N15N5ATMA1 IPB060N15N5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPB060N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b5ca333d3364d Description: MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 75 V
auf Bestellung 2433 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+8.06 EUR
10+5.36 EUR
100+3.83 EUR
500+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB060N15N5ATMA1 IPB060N15N5ATMA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0003258236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB060N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 136 A, 0.0048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 666 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB060N15N5ATMA1 IPB060N15N5ATMA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0003258236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB060N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 136 A, 0.0048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 666 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB060N15N5ATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB060N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b5ca333d3364d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 150V; 136A; 250W; TO263-7; SMT
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Electrical mounting: SMT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: 20V
Gate charge: 68nC
On-state resistance: 4.8mΩ
Drain current: 136A
Power dissipation: 250W
Drain-source voltage: 150V
Technology: MOSFET
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB060N15N5ATMA1 IPB060N15N5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 102infineon-ipb060n15n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625b3ca4ec015b5c.pdf OptiMOS 5 Power-Transistor, 150V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH