IPB065N15N3GATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 75 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 5.46 EUR |
| 3000+ | 5.38 EUR |
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Technische Details IPB065N15N3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB065N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPB065N15N3GATMA1 nach Preis ab 5.65 EUR bis 14.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IPB065N15N3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 130A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB065N15N3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 130A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB065N15N3GATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 75 V |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPB065N15N3GATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB065N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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IPB065N15N3GATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB065N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 11 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPB065N15N3GATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 130A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 130A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 15+ | 11.92 EUR |
| 21+ | 8.37 EUR |
| 50+ | 6.95 EUR |
| 100+ | 5.96 EUR |
| IPB065N15N3GATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 130A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 130A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 15+ | 11.92 EUR |
| 21+ | 8.18 EUR |
| 50+ | 6.69 EUR |
| 100+ | 5.65 EUR |
| IPB065N15N3GATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 75 V
Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 75 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 14.18 EUR |
| 10+ | 9.56 EUR |
| 50+ | 7.57 EUR |
| 100+ | 6.94 EUR |
| 500+ | 6.58 EUR |
| IPB065N15N3GATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB065N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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auf Bestellung 11 Stücke:
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| IPB065N15N3GATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB065N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPB065N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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