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IPB072N15N3GATMA1

IPB072N15N3GATMA1 Infineon Technologies

ipp075n15n3g_rev2.061.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details IPB072N15N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB072N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 7200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm.

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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V
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10+6.2 EUR
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Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V
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500+3.5 EUR
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175+3.74 EUR
500+3.5 EUR
1000+3.22 EUR
10000+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 175 Stücke
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IPB072N15N3GATMA1 ipp075n15n3g_rev2.061.pdf
IPB072N15N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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175+3.74 EUR
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IPB072N15N3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB072N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 7200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
auf Bestellung 4540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.9 EUR
200+3.8 EUR
500+3.53 EUR
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Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5489 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+6.35 EUR
42+4.05 EUR
100+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5489 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+6.4 EUR
42+4.15 EUR
100+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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28+6.43 EUR
100+4.72 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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26+6.82 EUR
39+4.34 EUR
50+3.99 EUR
100+3.3 EUR
500+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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AnzahlPrivatkunde
26+6.83 EUR
39+4.45 EUR
50+4.15 EUR
100+3.49 EUR
500+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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IPB072N15N3GATMA1 Infineon_IPP075N15N3_DS_v02_06_en.pdf
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
auf Bestellung 1356 Stücke:
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1+8.4 EUR
10+5.49 EUR
100+4.08 EUR
500+3.42 EUR
1000+3.19 EUR
2000+3 EUR
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IPB072N15N3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB072N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 7200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
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28+9 EUR
40+5.81 EUR
50+4.9 EUR
200+3.8 EUR
500+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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IPB072N15N3GATMA1 IPP075N15N3+G_Rev2.03.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6&fileId=db3a304319c6f18c0119cd76cc527ab6
IPB072N15N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V
auf Bestellung 12466 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+9.37 EUR
10+6.2 EUR
50+4.84 EUR
100+4.4 EUR
500+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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