IPB072N15N3GATMA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 30+ | 5.08 EUR |
| 31+ | 4.68 EUR |
| 50+ | 4.34 EUR |
| 100+ | 4.03 EUR |
| 250+ | 3.75 EUR |
| 500+ | 3.50 EUR |
| 1000+ | 3.26 EUR |
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Technische Details IPB072N15N3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB072N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 0.0058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote IPB072N15N3GATMA1 nach Preis ab 3.24 EUR bis 10.29 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||
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IPB072N15N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V |
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IPB072N15N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3 |
auf Bestellung 1891 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPB072N15N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1919 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB072N15N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1919 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB072N15N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 4673 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB072N15N3GATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB072N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 0.0058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm SVHC: To Be Advised |
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IPB072N15N3GATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB072N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 0.0058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 9378 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB072N15N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB072N15N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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| IPB072N15N3GATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPB072N15N3GATMA1 SMD N channel transistors |
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IPB072N15N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V |
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