Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB073N15N5ATMA1
IPB073N15N5ATMA1

IPB073N15N5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon_IPB073N15N5_DS_v02_00_EN-994642.pdf Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 9884 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.70 EUR
10+3.29 EUR
25+3.24 EUR
100+3.01 EUR
250+2.99 EUR
500+2.83 EUR
1000+2.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPB073N15N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB073N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 0.0056 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 114A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IPB073N15N5ATMA1 nach Preis ab 3.30 EUR bis 10.27 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IPB073N15N5ATMA1 IPB073N15N5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 1852infineon-ipb073n15n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f650570154a0.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
27+5.55 EUR
30+4.65 EUR
100+3.97 EUR
250+3.30 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB073N15N5ATMA1 IPB073N15N5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPB073N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a031192a5475 Description: MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 57A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V
auf Bestellung 412 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+6.04 EUR
10+4.50 EUR
100+3.50 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB073N15N5ATMA1 IPB073N15N5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 1852infineon-ipb073n15n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f650570154a0.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
19+7.89 EUR
23+6.42 EUR
25+6.12 EUR
100+4.81 EUR
250+4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB073N15N5ATMA1 IPB073N15N5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 1852infineon-ipb073n15n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f650570154a0.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
15+10.27 EUR
20+7.22 EUR
50+6.16 EUR
100+5.57 EUR
200+5.04 EUR
500+4.51 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB073N15N5ATMA1 IPB073N15N5ATMA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0002484833-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB073N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 0.0056 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2999 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB073N15N5ATMA1 IPB073N15N5ATMA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0002484833-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB073N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 0.0056 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB073N15N5ATMA1 IPB073N15N5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 1852infineon-ipb073n15n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f650570154a0.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB073N15N5ATMA1 IPB073N15N5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 1852infineon-ipb073n15n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f650570154a0.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB073N15N5ATMA1 IPB073N15N5ATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA30C702DB42143&compId=IPB073N15N5.pdf?ci_sign=af20e0604e1889601409b069b73fbbca7c50096a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 81A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 81A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB073N15N5ATMA1 IPB073N15N5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPB073N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a031192a5475 Description: MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 57A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB073N15N5ATMA1 IPB073N15N5ATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA30C702DB42143&compId=IPB073N15N5.pdf?ci_sign=af20e0604e1889601409b069b73fbbca7c50096a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 81A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 81A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH