IPB081N06L3 G Infineon Technologies
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Technische Details IPB081N06L3 G Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 79W; PG-TO263-3, Mounting: SMD, Case: PG-TO263-3, On-state resistance: 8.1mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 79W, Polarisation: unipolar, Technology: OptiMOS™ 3, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 50A, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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IPB081N06L3G | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 79W; PG-TO263-3 Mounting: SMD Case: PG-TO263-3 On-state resistance: 8.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 79W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPB081N06L3G | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 79W; PG-TO263-3 Mounting: SMD Case: PG-TO263-3 On-state resistance: 8.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 79W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A |
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