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IPB081N06L3 G Infineon Technologies

Name: IPB081N06L3 G
Brand: Infineon Technologies
SKU: 133722-4
Price: 3.33 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

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Technische Details IPB081N06L3 G Infineon Technologies

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 79W; PG-TO263-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™ 3, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 50A, Power dissipation: 79W, Case: PG-TO263-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 8.1mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement.

Weitere Produktangebote IPB081N06L3 G

Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
	IPB081N06L3G	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 79W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Power dissipation: 79W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.1mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB081N06L3G

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 79W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

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