Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB083N10N3GATMA1
IPB083N10N3GATMA1

IPB083N10N3GATMA1 Infineon Technologies

ipi086n10n3gxk.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+1.33 EUR
2000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPB083N10N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB083N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0072 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote IPB083N10N3GATMA1 nach Preis ab 1.26 EUR bis 4.52 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB083N10N3GATMA1 IPB083N10N3GATMA1 Infineon Technologies ipi086n10n3gxk.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.33 EUR
2000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB083N10N3GATMA1 IPB083N10N3GATMA1 Infineon Technologies ipi086n10n3gxk.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB083N10N3GATMA1 IPB083N10N3GATMA1 Infineon Technologies ipi086n10n3gxk.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 736 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+2.52 EUR
74+2.33 EUR
100+1.89 EUR
200+1.76 EUR
500+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB083N10N3GATMA1 IPB083N10N3GATMA1 INFINEON INFNS30358-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB083N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0072 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.03 EUR
101+2.14 EUR
200+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB083N10N3GATMA1 IPB083N10N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPP086N10N3G_DS_v02_06_en-1732006.pdf MOSFETs N-Ch 100V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3
auf Bestellung 166 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.61 EUR
10+2.64 EUR
100+1.96 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB083N10N3GATMA1 IPB083N10N3GATMA1 Infineon Technologies IPP086N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358 Description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB083N10N3GATMA1 IPB083N10N3GATMA1 INFINEON INFNS30358-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB083N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0072 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+4.52 EUR
79+2.98 EUR
110+1.96 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB083N10N3GATMA1 ipi086n10n3gxk.pdf
IPB083N10N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+1.33 EUR
2000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB083N10N3GATMA1 ipi086n10n3gxk.pdf
IPB083N10N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB083N10N3GATMA1 ipi086n10n3gxk.pdf
IPB083N10N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 736 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
69+2.52 EUR
74+2.33 EUR
100+1.89 EUR
200+1.76 EUR
500+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB083N10N3GATMA1 INFNS30358-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB083N10N3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB083N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0072 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.03 EUR
101+2.14 EUR
200+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB083N10N3GATMA1 Infineon_IPP086N10N3G_DS_v02_06_en-1732006.pdf
IPB083N10N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3
auf Bestellung 166 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.61 EUR
10+2.64 EUR
100+1.96 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB083N10N3GATMA1 IPP086N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358
IPB083N10N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB083N10N3GATMA1 INFNS30358-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB083N10N3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB083N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0072 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
56+4.52 EUR
79+2.98 EUR
110+1.96 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH