IPB083N15N5LF

IPB083N15N5LF INFINEON TECHNOLOGIES


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A1CD8DE26E402749&compId=IPB083N15N5LF.pdf?ci_sign=80afe72410409132f9a6f39bef5e8c7152f678f0 Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 66A; 179W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 66A
Power dissipation: 179W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details IPB083N15N5LF INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 66A; 179W; PG-TO263-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™ 5, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 150V, Drain current: 66A, Power dissipation: 179W, Case: PG-TO263-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 8.3mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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IPB083N15N5LF IPB083N15N5LF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A1CD8DE26E402749&compId=IPB083N15N5LF.pdf?ci_sign=80afe72410409132f9a6f39bef5e8c7152f678f0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 66A; 179W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 66A
Power dissipation: 179W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: SMD
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