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Technische Details IPB083N15N5LFATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB083N15N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 0.0069 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 105A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 179W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IPB083N15N5LFATMA1 nach Preis ab 4.68 EUR bis 11.14 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||
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IPB083N15N5LFATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 150V 105A D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 179W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 134µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V |
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IPB083N15N5LFATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB083N15N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 0.0069 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 105A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 179W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IPB083N15N5LFATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB083N15N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 0.0069 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 105A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 179W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IPB083N15N5LFATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPB083N15N5LFATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IPB083N15N5LFATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPB083N15N5LFATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 179W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 134µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V |
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