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IPB085N15NM6ATMA1 Infineon Technologies


infineonipb085n15nm6datasheetv0100en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 13.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details IPB085N15NM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB085N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 90 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 158W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB085N15NM6ATMA1 IPB085N15NM6ATMA1 Infineon Technologies infineonipb085n15nm6datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 13.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IPB085N15NM6ATMA1 IPB085N15NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IPB085N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f47d421c7e0b Description: INFINEON - IPB085N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 90 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 822 Stücke:
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IPB085N15NM6ATMA1 IPB085N15NM6ATMA1 Infineon Technologies DS_IPB085N15NM6_en.pdf MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package
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IPB085N15NM6ATMA1 IPB085N15NM6ATMA1 Infineon Technologies DS_IPB085N15NM6_en.pdf Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.9A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 32A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 75 V
auf Bestellung 153 Stücke:
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4+5.99 EUR
10+3.89 EUR
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IPB085N15NM6ATMA1 IPB085N15NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IPB085N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f47d421c7e0b Description: INFINEON - IPB085N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 90 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 158W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB085N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 90 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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euEccn: NLR
isCanonical: N
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 822 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package
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Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.9A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 32A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 75 V
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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4+5.99 EUR
10+3.89 EUR
50+2.99 EUR
100+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB085N15NM6ATMA1 Infineon-IPB085N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f47d421c7e0b
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB085N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 90 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
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Dauer-Drainstrom Id: 90A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 158W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 822 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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