IPB100N04S303ATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPB100N04S303ATMA1 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 40V; 100A; 214W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™ T, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 100A, Power dissipation: 214W, Case: PG-TO263-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 110nC, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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IPB100N04S303ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 40V; 100A; 214W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ T Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 214W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPB100N04S303ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 |
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IPB100N04S303ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 |
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IPB100N04S303ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 40V; 100A; 214W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ T Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 214W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of channel: enhanced |
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