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IPB100N04S4H2ATMA1

IPB100N04S4H2ATMA1 Infineon Technologies

infineonippbi100n04s4h2dsv0100en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details IPB100N04S4H2ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB100N04S4H2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 115W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB100N04S4H2ATMA1 IPB100N04S4H2ATMA1 Infineon Technologies infineonippbi100n04s4h2dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7180 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
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IPB100N04S4H2ATMA1 IPB100N04S4H2ATMA1 Infineon Technologies infineonippbi100n04s4h2dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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IPB100N04S4H2ATMA1 IPB100N04S4H2ATMA1 Infineon Technologies infineon_ipb100n04s4_h2_datasheet_en.pdf MOSFETs N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7180 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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4+5.55 EUR
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IPB100N04S4H2ATMA1 IPB100N04S4H2ATMA1 INFINEON INFNS19043-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB100N04S4H2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
auf Bestellung 676 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+6.57 EUR
77+3.02 EUR
100+2.46 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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IPB100N04S4H2ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7180 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
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IPB100N04S4H2ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB100N04S4H2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
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100+2.46 EUR
500+2.02 EUR
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IPB100N04S4H2ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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264+2.53 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
41+4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1355 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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39+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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IPB100N04S4H2ATMA1 infineon_ipb100n04s4_h2_datasheet_en.pdf
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2
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100+2.39 EUR
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IPB100N04S4H2ATMA1 Infineon-IPP_B_I100N04S4_H2-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c2758925d17&ack=t
IPB100N04S4H2ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7180 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4456 Stücke:
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4+5.55 EUR
10+3.59 EUR
50+2.75 EUR
100+2.48 EUR
500+2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IPB100N04S4H2ATMA1 INFNS19043-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB100N04S4H2ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB100N04S4H2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
auf Bestellung 676 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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77+3.02 EUR
100+2.46 EUR
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Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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