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IPB100N06S205ATMA4

IPB100N06S205ATMA4 INFINEON

IPx100N06S2-05.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB100N06S205ATMA4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 100 A, 0.0037 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 898 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details IPB100N06S205ATMA4 INFINEON

Description: INFINEON - IPB100N06S205ATMA4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 100 A, 0.0037 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

Weitere Produktangebote IPB100N06S205ATMA4 nach Preis ab 3.2 EUR bis 5.94 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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IPB100N06S205ATMA4 IPB100N06S205ATMA4 Infineon Technologies infineonipb100n06s205datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 342 Stücke:
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IPB100N06S205ATMA4 IPB100N06S205ATMA4 Infineon Technologies infineonipb100n06s205datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 44200 Stücke:
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IPB100N06S205ATMA4 IPB100N06S205ATMA4 Infineon Technologies infineonipb100n06s205datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 427 Stücke:
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IPB100N06S205ATMA4 IPB100N06S205ATMA4 Infineon Technologies IPx100N06S2-05.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
auf Bestellung 44627 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
121+4.55 EUR
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IPB100N06S205ATMA4 IPB100N06S205ATMA4 Infineon Technologies infineonipb100n06s205datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+5.93 EUR
35+4.83 EUR
37+4.36 EUR
100+3.96 EUR
500+3.68 EUR
1000+3.47 EUR
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IPB100N06S205ATMA4 IPB100N06S205ATMA4 Infineon Technologies infineonipb100n06s205datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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35+4.94 EUR
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Description: INFINEON - IPB100N06S205ATMA4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 100 A, 0.0037 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
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Trans MOSFET N-CH 55V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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35+4.94 EUR
37+4.53 EUR
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