IPB107N20N3GATMA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 4.47 EUR |
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit:
14-21 Tag (e)
Mindestmenge:
1000 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IPB107N20N3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB107N20N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0107 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 88A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm.
Weitere Produktangebote IPB107N20N3GATMA1 nach Preis ab 4.53 EUR bis 15.95 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPB107N20N3GATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
IPB107N20N3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 357 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
IPB107N20N3GATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V |
auf Bestellung 3330 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
IPB107N20N3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1855 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
IPB107N20N3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1855 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
IPB107N20N3GATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V |
auf Bestellung 3890 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
IPB107N20N3GATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB107N20N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0107 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 88A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm |
auf Bestellung 5143 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
IPB107N20N3GATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB107N20N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0107 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 88A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm |
auf Bestellung 5143 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
IPB107N20N3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
|
|
IPB107N20N3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
|
|
IPB107N20N3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
|
|
IPB107N20N3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPB107N20N3GATMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 4.53 EUR |
| IPB107N20N3GATMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 122+ | 5.47 EUR |
| IPB107N20N3GATMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
auf Bestellung 3330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 6.1 EUR |
| 3000+ | 5.76 EUR |
| IPB107N20N3GATMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 16+ | 11.32 EUR |
| 23+ | 7.62 EUR |
| 50+ | 5.9 EUR |
| 100+ | 5.21 EUR |
| 500+ | 4.72 EUR |
| IPB107N20N3GATMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 16+ | 11.33 EUR |
| 23+ | 7.81 EUR |
| 50+ | 6.14 EUR |
| 100+ | 5.52 EUR |
| 500+ | 5.13 EUR |
| IPB107N20N3GATMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
auf Bestellung 3890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 13.34 EUR |
| 10+ | 8.96 EUR |
| 50+ | 7.08 EUR |
| 100+ | 6.49 EUR |
| 500+ | 6.07 EUR |
| IPB107N20N3GATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB107N20N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0107 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm
Description: INFINEON - IPB107N20N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0107 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm
auf Bestellung 5143 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 16+ | 15.95 EUR |
| 25+ | 9.4 EUR |
| 50+ | 7.5 EUR |
| 200+ | 6.85 EUR |
| 500+ | 6.38 EUR |
| IPB107N20N3GATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB107N20N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0107 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm
Description: INFINEON - IPB107N20N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0107 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm
auf Bestellung 5143 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 16+ | 15.95 EUR |
| 25+ | 9.4 EUR |
| 50+ | 7.5 EUR |
| 200+ | 6.85 EUR |
| 500+ | 6.38 EUR |
| IPB107N20N3GATMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IPB107N20N3GATMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IPB107N20N3GATMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IPB107N20N3GATMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)