IPB107N20NAATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details IPB107N20NAATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote IPB107N20NAATMA1 nach Preis ab 5.65 EUR bis 13.6 EUR
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IPB107N20NAATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 88A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IPB107N20NAATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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IPB107N20NAATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 88A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IPB107N20NAATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO263-3 Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO263-3 Drain-source voltage: 200V Drain current: 88A On-state resistance: 10.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPB107N20NAATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO263-3 Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO263-3 Drain-source voltage: 200V Drain current: 88A On-state resistance: 10.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 820 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB107N20NAATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 88A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IPB107N20NAATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs Mosfet, DCtoDC Nchannel 200V |
auf Bestellung 586 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPB107N20NAATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 1495 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPB107N20NAATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB107N20NAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0096 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 88A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IPB107N20NAATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB107N20NAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0096 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 88A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IPB107N20NAATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 88A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB107N20NAATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 88A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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