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IPB107N20NAATMA1

IPB107N20NAATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

IPB107N20NA-DTE.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 10.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 88A
Drain-source voltage: 200V
Power dissipation: 300W
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 655 Stücke:
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Technische Details IPB107N20NAATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: INFINEON - IPB107N20NAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0107 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 88A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB107N20NAATMA1 IPB107N20NAATMA1 Infineon Technologies infineonipp110n20naipb107n20nadsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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IPB107N20NAATMA1 IPB107N20NAATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP110N20NA_IPB107N20NA-DS-v02_01-en.pdf MOSFETs Mosfet, DCtoDC Nchannel 200V
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IPB107N20NAATMA1 IPB107N20NAATMA1 Infineon Technologies IPP110N20NA_IPB107N20NA+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a3043300464130130307ce52a20a3 Description: MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
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IPB107N20NAATMA1 IPB107N20NAATMA1 INFINEON INFNS15477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB107N20NAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0107 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 721 Stücke:
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14+18.09 EUR
17+14.41 EUR
20+11.09 EUR
50+10.63 EUR
100+9.66 EUR
250+9.47 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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IPB107N20NAATMA1 IPB107N20NAATMA1 INFINEON INFNS15477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB107N20NAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0107 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
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IPB107N20NAATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB107N20NAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0107 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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14+18.09 EUR
17+14.41 EUR
20+11.09 EUR
50+10.63 EUR
100+9.66 EUR
250+9.47 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB107N20NAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0107 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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50+11.67 EUR
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