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IPB117N20NFDATMA1

IPB117N20NFDATMA1 Infineon Technologies

infineonipb117n20nfddsv0200en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
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Technische Details IPB117N20NFDATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB117N20NFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 84 A, 0.0103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 84A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS FD, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB117N20NFDATMA1 IPB117N20NFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB117N20NFD-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 84A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 84A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 273 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+7.64 EUR
13+6.65 EUR
16+5.53 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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IPB117N20NFDATMA1 IPB117N20NFDATMA1 Infineon Technologies infineonipb117n20nfddsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.73 EUR
23+7.77 EUR
25+7.52 EUR
50+7.12 EUR
100+5.53 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IPB117N20NFDATMA1 IPB117N20NFDATMA1 Infineon Technologies infineonipb117n20nfddsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.73 EUR
23+7.6 EUR
25+7.25 EUR
50+6.74 EUR
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Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IPB117N20NFDATMA1 IPB117N20NFDATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB117N20NFD_DS_v02_00_en-1731707.pdf MOSFETs N-Ch 200V 84A D2PAK-2
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1+13.92 EUR
10+10.26 EUR
25+9.92 EUR
100+7.79 EUR
250+7.72 EUR
500+7.19 EUR
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IPB117N20NFDATMA1 IPB117N20NFDATMA1 INFINEON INFNS29196-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB117N20NFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 84 A, 0.0103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS FD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2768 Stücke:
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16+15.99 EUR
18+12.97 EUR
21+10.22 EUR
50+9.13 EUR
100+8.03 EUR
250+7.95 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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IPB117N20NFDATMA1 IPB117N20NFDATMA1 INFINEON INFNS29196-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB117N20NFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 84 A, 0.0103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS FD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2873 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.09 EUR
20+11.85 EUR
50+8.62 EUR
200+8.51 EUR
500+8.41 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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IPB117N20NFDATMA1 IPB117N20NFD-DTE.pdf
IPB117N20NFDATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 84A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 84A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 273 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+7.64 EUR
13+6.65 EUR
16+5.53 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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IPB117N20NFDATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+10.73 EUR
23+7.77 EUR
25+7.52 EUR
50+7.12 EUR
100+5.53 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IPB117N20NFDATMA1 infineonipb117n20nfddsv0200en.pdf
IPB117N20NFDATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+10.73 EUR
23+7.6 EUR
25+7.25 EUR
50+6.74 EUR
100+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB117N20NFDATMA1 Infineon_IPB117N20NFD_DS_v02_00_en-1731707.pdf
IPB117N20NFDATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 200V 84A D2PAK-2
auf Bestellung 2431 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+13.92 EUR
10+10.26 EUR
25+9.92 EUR
100+7.79 EUR
250+7.72 EUR
500+7.19 EUR
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IPB117N20NFDATMA1 INFNS29196-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB117N20NFDATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB117N20NFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 84 A, 0.0103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS FD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2768 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+15.99 EUR
18+12.97 EUR
21+10.22 EUR
50+9.13 EUR
100+8.03 EUR
250+7.95 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB117N20NFDATMA1 INFNS29196-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB117N20NFDATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB117N20NFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 84 A, 0.0103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS FD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2873 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+17.09 EUR
20+11.85 EUR
50+8.62 EUR
200+8.51 EUR
500+8.41 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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