IPB120N04S402ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10740 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
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Technische Details IPB120N04S402ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB120N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1880 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 158W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1880µohm.
Weitere Produktangebote IPB120N04S402ATMA1 nach Preis ab 1.61 EUR bis 4.96 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IPB120N04S402ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2 |
auf Bestellung 949 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPB120N04S402ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 158W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10740 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 1601 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPB120N04S402ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB120N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1880 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 158W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1880µohm |
auf Bestellung 3820 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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IPB120N04S402ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB120N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1880 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 158W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1880µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3820 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IPB120N04S402ATMA1 | Infineon |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPB120N04S402ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2
MOSFETs N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2
auf Bestellung 949 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 1.92 EUR |
| 10+ | 1.81 EUR |
| 100+ | 1.69 EUR |
| 500+ | 1.65 EUR |
| 1000+ | 1.61 EUR |
| IPB120N04S402ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10740 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10740 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1601 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 4.96 EUR |
| 10+ | 3.22 EUR |
| 100+ | 2.24 EUR |
| 500+ | 1.91 EUR |
| IPB120N04S402ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB120N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1880 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Dauer-Drainstrom Id: 120A
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Qualifikation: AEC-Q101
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Produktpalette: OptiMOS-T2
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1880µohm
Description: INFINEON - IPB120N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1880 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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auf Bestellung 3820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IPB120N04S402ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB120N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1880 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1880µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPB120N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1880 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Kanaltyp: n-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1880µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)