Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB120N06S403ATMA2
IPB120N06S403ATMA2

IPB120N06S403ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-I120N06S4_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038c634110ccc
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPB120N06S403ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB120N06S403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 167W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 167W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm.

Weitere Produktangebote IPB120N06S403ATMA2 nach Preis ab 2.59 EUR bis 8.15 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB120N06S403ATMA2 IPB120N06S403ATMA2 INFINEON INFNS14115-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB120N06S403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
auf Bestellung 496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB120N06S403ATMA2 IPB120N06S403ATMA2 Infineon Technologies ipp_b_i120n06s4-03_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 802 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+4.05 EUR
50+3.69 EUR
100+3.17 EUR
500+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB120N06S403ATMA2 IPB120N06S403ATMA2 Infineon Technologies Infineon_I120N06S4_03_DS_v01_00_en.pdf MOSFETs N-Ch 60V 120A D2PAK-2
auf Bestellung 668 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.31 EUR
10+4.8 EUR
100+3.37 EUR
500+2.78 EUR
1000+2.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB120N06S403ATMA2 IPB120N06S403ATMA2 Infineon Technologies Infineon-I120N06S4_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038c634110ccc Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.44 EUR
10+4.87 EUR
50+3.76 EUR
100+3.42 EUR
500+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB120N06S403ATMA2 IPB120N06S403ATMA2 INFINEON INFNS14115-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB120N06S403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
auf Bestellung 496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.15 EUR
49+4.83 EUR
100+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB120N06S403ATMA2 INFNS14115-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB120N06S403ATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB120N06S403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
auf Bestellung 496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB120N06S403ATMA2 ipp_b_i120n06s4-03_ds_10.pdf
IPB120N06S403ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 802 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
44+4.05 EUR
50+3.69 EUR
100+3.17 EUR
500+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB120N06S403ATMA2 Infineon_I120N06S4_03_DS_v01_00_en.pdf
IPB120N06S403ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 120A D2PAK-2
auf Bestellung 668 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+7.31 EUR
10+4.8 EUR
100+3.37 EUR
500+2.78 EUR
1000+2.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB120N06S403ATMA2 Infineon-I120N06S4_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038c634110ccc
IPB120N06S403ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7.44 EUR
10+4.87 EUR
50+3.76 EUR
100+3.42 EUR
500+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB120N06S403ATMA2 INFNS14115-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB120N06S403ATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB120N06S403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
auf Bestellung 496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
31+8.15 EUR
49+4.83 EUR
100+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH