Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB120P04P4L03ATMA1
IPB120P04P4L03ATMA1

IPB120P04P4L03ATMA1 Infineon Technologies

Infineon_IPP_B_I120P04P4L_03_DataSheet_v01_02_EN-3164835.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET P-Ch -40V -120A D2PAK-2 OptiMOS-P2
auf Bestellung 16966 Stücke:
Lieferzeit 643-647 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+8.32 EUR
10+8.29 EUR
1000+4.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPB120P04P4L03ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB120P04P4L03ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Compute Module 3+ Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Weitere Produktangebote IPB120P04P4L03ATMA1 nach Preis ab 3.02 EUR bis 8.43 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB120P04P4L03ATMA1 IPB120P04P4L03ATMA1 INFINEON INFNS17036-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB120P04P4L03ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 11428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.43 EUR
41+5.78 EUR
55+3.96 EUR
200+3.3 EUR
500+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB120P04P4L03ATMA1 IPB120P04P4L03ATMA1 INFINEON INFNS17036-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB120P04P4L03ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 11428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.43 EUR
41+5.78 EUR
55+3.96 EUR
200+3.3 EUR
500+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB120P04P4L03ATMA1 Infineon Infineon-IPP_B_I120P04P4L_03-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f783b3b5a2e3f&ack=t
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB120P04P4L03ATMA1 INFNS17036-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB120P04P4L03ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB120P04P4L03ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 11428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+8.43 EUR
41+5.78 EUR
55+3.96 EUR
200+3.3 EUR
500+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB120P04P4L03ATMA1 INFNS17036-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB120P04P4L03ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB120P04P4L03ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 11428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+8.43 EUR
41+5.78 EUR
55+3.96 EUR
200+3.3 EUR
500+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB120P04P4L03ATMA1 Infineon-IPP_B_I120P04P4L_03-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f783b3b5a2e3f&ack=t
Hersteller: Infineon
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH