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IPB156N22NFDATMA1

IPB156N22NFDATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB156N22NFD-DS-v02_00-EN-1274371.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
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Technische Details IPB156N22NFDATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 220V 72A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 220 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6930 pF @ 110 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB156N22NFDATMA1 IPB156N22NFDATMA1 INFINEON INFN-S-A0003614521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB156N22NFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 220 V, 72 A, 0.0129 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 220V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS FD
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0129ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+14.61 EUR
17+13.22 EUR
50+12.94 EUR
100+12.69 EUR
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 220V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS FD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0129ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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16+14.61 EUR
17+13.22 EUR
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IPB156N22NFDATMA1 IPB156N22NFDATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB156N22NFD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625d5945ed015dacb0bcce22e7 Description: MOSFET N-CH 220V 72A TO263-3
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6930 pF @ 110 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 220 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
auf Bestellung 1012 Stücke:
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10+10.79 EUR
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IPB156N22NFDATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB156N22NFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 220 V, 72 A, 0.0129 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS FD
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0129ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IPB156N22NFDATMA1 INFN-S-A0003614521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB156N22NFDATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB156N22NFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 220 V, 72 A, 0.0129 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS FD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0129ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPB156N22NFDATMA1 Infineon-IPB156N22NFD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625d5945ed015dacb0bcce22e7
IPB156N22NFDATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 220V 72A TO263-3
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6930 pF @ 110 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 220 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
auf Bestellung 1012 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+15.85 EUR
10+10.79 EUR
100+7.93 EUR
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