IPB175N20NM6ATMA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 37+ | 3.94 EUR |
| 50+ | 2.72 EUR |
| 100+ | 1.98 EUR |
| 250+ | 1.89 EUR |
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| 1000+ | 1.44 EUR |
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Technische Details IPB175N20NM6ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB175N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.0155 ohm, TO-263, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 61A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 203W, Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPB175N20NM6ATMA1 nach Preis ab 1.44 EUR bis 5.67 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IPB175N20NM6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 200V 9.7A |
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IPB175N20NM6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IPB175N20NM6ATMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta), 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 38A, 15V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 203W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 105µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-U01 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 100 V |
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IPB175N20NM6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V |
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IPB175N20NM6ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB175N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.0155 ohm, TO-263, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 203W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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| IPB175N20NM6ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB175N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.0155 ohm, TO-263, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB175N20NM6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 9.7A |
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IPB175N20NM6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IPB175N20NM6ATMA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta), 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 38A, 15V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 203W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 105µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-U01 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 100 V |
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