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IPB175N20NM6ATMA1

IPB175N20NM6ATMA1 Infineon Technologies

infineonipb175n20nm6datasheeten.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 9.7A D2PAK T/R
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Technische Details IPB175N20NM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB175N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.0155 ohm, TO-263, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 61A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 203W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm.

Weitere Produktangebote IPB175N20NM6ATMA1 nach Preis ab 2.78 EUR bis 11.32 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB175N20NM6ATMA1 IPB175N20NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IPB175N20NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c97a5967c0197ab012a682d11 Description: INFINEON - IPB175N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.0155 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 910 Stücke:
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IPB175N20NM6ATMA1 IPB175N20NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon_6-24-2025_DS_IPB175N20NM6_1_0_final approved.pdf MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
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IPB175N20NM6ATMA1 IPB175N20NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IPB175N20NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c97a5967c0197ab012a682d11 Description: INFINEON - IPB175N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.0155 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 203W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
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IPB175N20NM6ATMA1 Infineon Technologies Description: IPB175N20NM6ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 38A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 203W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 100 V
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IPB175N20NM6ATMA1 Infineon Technologies Description: IPB175N20NM6ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 38A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 203W (Tc)
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Supplier Device Package: PG-TO263-3-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 100 V
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IPB175N20NM6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB175N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.0155 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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usEccn: EAR99
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IPB175N20NM6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
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IPB175N20NM6ATMA1 Infineon-IPB175N20NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c97a5967c0197ab012a682d11
IPB175N20NM6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB175N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.0155 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
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euEccn: NLR
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
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IPB175N20NM6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IPB175N20NM6ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 38A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 203W (Tc)
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Supplier Device Package: PG-TO263-3-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
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IPB175N20NM6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IPB175N20NM6ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 38A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 203W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
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auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7.91 EUR
10+5.2 EUR
50+4.03 EUR
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