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IPB17N25S3100ATMA1

IPB17N25S3100ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPP_B17N25S3_100-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30433b92f0e8013b937c398a014b
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 17A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 54µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 56000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+2.15 EUR
3000+1.93 EUR
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Technische Details IPB17N25S3100ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB17N25S3100ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 107W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm.

Weitere Produktangebote IPB17N25S3100ATMA1 nach Preis ab 1.78 EUR bis 6.82 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB17N25S3100ATMA1 IPB17N25S3100ATMA1 INFINEON INFN-S-A0001299728-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB17N25S3100ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
auf Bestellung 976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.76 EUR
500+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+3.57 EUR
58+2.8 EUR
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Mindestbestellmenge: 49 Stücke
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auf Bestellung 145 Stücke:
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100+2.34 EUR
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auf Bestellung 965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+3.57 EUR
60+2.87 EUR
100+2.61 EUR
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Mindestbestellmenge: 49 Stücke
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auf Bestellung 700 Stücke:
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100+2.55 EUR
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auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+5 EUR
51+3.39 EUR
100+2.36 EUR
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IPB17N25S3100ATMA1 IPB17N25S3100ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPP_B17N25S3_100_DS_v01_01_EN.pdf MOSFETs N-Ch 250V 17A D2PAK-2
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1+5.93 EUR
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 54µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.39 EUR
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50+3.19 EUR
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
auf Bestellung 976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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57+4.11 EUR
100+2.76 EUR
500+2.23 EUR
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IPB17N25S3100ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB17N25S3100ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
auf Bestellung 976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 17A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Hersteller: Infineon Technologies
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60+2.87 EUR
100+2.61 EUR
500+2.26 EUR
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Trans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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100+2.55 EUR
500+1.99 EUR
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51+3.39 EUR
100+2.36 EUR
500+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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100+2.68 EUR
500+2.15 EUR
1000+1.98 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 17A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 54µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 56638 Stücke:
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4+6.39 EUR
10+4.15 EUR
50+3.19 EUR
100+2.87 EUR
500+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB17N25S3100ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
auf Bestellung 976 Stücke:
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57+4.11 EUR
100+2.76 EUR
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Mindestbestellmenge: 37 Stücke
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