IPB180N04S400ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 180+ | 3.05 EUR |
| 500+ | 2.85 EUR |
| 1000+ | 2.64 EUR |
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Technische Details IPB180N04S400ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB180N04S400ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm.
Weitere Produktangebote IPB180N04S400ATMA1 nach Preis ab 2.99 EUR bis 8.98 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IPB180N04S400ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 305 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB180N04S400ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.98mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 286 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22880 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPB180N04S400ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB180N04S400ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB180N04S400ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB180N04S400ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB180N04S400ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.98mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 286 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22880 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 2075 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPB180N04S400ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2 |
auf Bestellung 2196 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPB180N04S400ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB180N04S400ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IPB180N04S400ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB180N04S400ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 3 - 168 Stunden Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 13 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPB180N04S400ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 180+ | 3.05 EUR |
| IPB180N04S400ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.98mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 286 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22880 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.98mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 286 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22880 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 3.18 EUR |
| 2000+ | 2.99 EUR |
| IPB180N04S400ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 3.19 EUR |
| IPB180N04S400ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 3.2 EUR |
| IPB180N04S400ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 4.49 EUR |
| IPB180N04S400ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 4.49 EUR |
| IPB180N04S400ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.98mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 286 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.98mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 286 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2075 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 8.8 EUR |
| 10+ | 5.83 EUR |
| 100+ | 4.14 EUR |
| 500+ | 3.41 EUR |
| IPB180N04S400ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
auf Bestellung 2196 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 8.98 EUR |
| 10+ | 5.88 EUR |
| 100+ | 4.38 EUR |
| 500+ | 3.66 EUR |
| 1000+ | 3.41 EUR |
| 2000+ | 3.19 EUR |
| IPB180N04S400ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB180N04S400ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
Description: INFINEON - IPB180N04S400ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IPB180N04S400ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB180N04S400ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
Description: INFINEON - IPB180N04S400ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)