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IPB180P04P4L02ATMA2

IPB180P04P4L02ATMA2 Infineon Technologies

infineonipb180p04p4l02datasheetv0104en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details IPB180P04P4L02ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB180P04P4L02ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 150W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-P2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm.

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IPB180P04P4L02ATMA2 IPB180P04P4L02ATMA2 Infineon Technologies infineonipb180p04p4l02datasheetv0104en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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IPB180P04P4L02ATMA2 IPB180P04P4L02ATMA2 Infineon Technologies infineonipb180p04p4l02datasheetv0104en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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IPB180P04P4L02ATMA2 IPB180P04P4L02ATMA2 Infineon Technologies infineonipb180p04p4l02datasheetv0104en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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IPB180P04P4L02ATMA2 IPB180P04P4L02ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPB180P04P4L-02-DataSheet-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d4627aa5d4f5017b784846aa726d Description: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 286 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+2.87 EUR
2000+2.69 EUR
3000+2.61 EUR
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IPB180P04P4L02ATMA2 IPB180P04P4L02ATMA2 Infineon Technologies infineonipb180p04p4l02datasheetv0104en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 336 Stücke:
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IPB180P04P4L02ATMA2 IPB180P04P4L02ATMA2 Infineon Technologies infineonipb180p04p4l02datasheetv0104en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 12374 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
212+3.08 EUR
500+2.87 EUR
1000+2.67 EUR
10000+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 212 Stücke
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IPB180P04P4L02ATMA2 IPB180P04P4L02ATMA2 INFINEON 2876642.pdf Description: INFINEON - IPB180P04P4L02ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
auf Bestellung 693 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.41 EUR
200+3.64 EUR
500+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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26+6.95 EUR
37+4.7 EUR
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 286 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 16892 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.1 EUR
10+5.34 EUR
100+3.76 EUR
500+3.18 EUR
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auf Bestellung 1801 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.04 EUR
10+5.93 EUR
100+4.41 EUR
500+3.69 EUR
1000+3.42 EUR
2000+3.22 EUR
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
auf Bestellung 683 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.59 EUR
42+5.62 EUR
50+4.41 EUR
200+3.64 EUR
500+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+2 EUR
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IPB180P04P4L02ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+2.7 EUR
2000+2.57 EUR
3000+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+2.71 EUR
2000+2.64 EUR
3000+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IPB180P04P4L02ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 286 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+2.87 EUR
2000+2.69 EUR
3000+2.61 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 336 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
212+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 212 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 12374 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
212+3.08 EUR
500+2.87 EUR
1000+2.67 EUR
10000+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 212 Stücke
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IPB180P04P4L02ATMA2 2876642.pdf
IPB180P04P4L02ATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB180P04P4L02ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
auf Bestellung 693 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.41 EUR
200+3.64 EUR
500+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
26+6.95 EUR
37+4.7 EUR
100+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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IPB180P04P4L02ATMA2 Infineon-IPB180P04P4L-02-DataSheet-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d4627aa5d4f5017b784846aa726d
IPB180P04P4L02ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 286 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 16892 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+8.1 EUR
10+5.34 EUR
100+3.76 EUR
500+3.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 1801 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+9.04 EUR
10+5.93 EUR
100+4.41 EUR
500+3.69 EUR
1000+3.42 EUR
2000+3.22 EUR
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IPB180P04P4L02ATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB180P04P4L02ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
auf Bestellung 683 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
27+9.59 EUR
42+5.62 EUR
50+4.41 EUR
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