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IPB200N25N3GATMA1 Infineon Technologies

Name: IPB200N25N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 23898925-5
Price: 4600.00 EUR
Availability: InStock

infineon-ipp_b_i_200n25n3_g-datasheet-v02_05-en.pdf

Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Technische Details IPB200N25N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB200N25N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 64 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IPB200N25N3GATMA1 nach Preis ab 3.91 EUR bis 11.32 EUR

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IPB200N25N3GATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IPB200N25N3GATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

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Description: MOSFET N-CH 250V 64A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 64A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V

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25+	5.86 EUR
50+	5.43 EUR
100+	5.04 EUR
250+	4.69 EUR
500+	4.37 EUR
1000+	4.08 EUR
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Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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22+	6.81 EUR
27+	5.23 EUR

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Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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27+	5.23 EUR

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IPB200N25N3GATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 250V 64A D2PAK-2 OptiMOS 3

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Anzahl	Preis
1+	10.3 EUR
10+	6.76 EUR
100+	5.79 EUR
1000+	4.89 EUR

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IPB200N25N3GATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 250V 64A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 64A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V

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2+	11.32 EUR
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IPB200N25N3GATMA1

Hersteller : INFINEON

INFNS17044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IPB200N25N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 64 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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IPB200N25N3GATMA1

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Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IPB200N25N3GATMA1

Hersteller : INFINEON

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Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBC2399CBB811C&compId=IPB200N25N3G-DTE.pdf?ci_sign=042d34e0ac3192bf276af7882f73c360549158ba

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 64A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 64A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

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