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IPB330P10NMATMA1

IPB330P10NMATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB330P10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9a628c74f22
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.55mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+3.65 EUR
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Technische Details IPB330P10NMATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB330P10NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 62 A, 0.0268 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 62A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 300W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0268ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0268ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Weitere Produktangebote IPB330P10NMATMA1 nach Preis ab 2.49 EUR bis 11.59 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB330P10NMATMA1 IPB330P10NMATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb330p10nm-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IPB330P10NMATMA1 IPB330P10NMATMA1 INFINEON 3624245.pdf Description: INFINEON - IPB330P10NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 62 A, 0.0268 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0268ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0268ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+4.63 EUR
1000+4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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IPB330P10NMATMA1 IPB330P10NMATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb330p10nm-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+4.71 EUR
500+4.46 EUR
1000+4.11 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
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IPB330P10NMATMA1 IPB330P10NMATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb330p10nm-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5015 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+4.72 EUR
43+4 EUR
44+3.87 EUR
100+3.28 EUR
250+3.17 EUR
500+2.95 EUR
1000+2.84 EUR
3000+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
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auf Bestellung 5015 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+4.72 EUR
43+3.92 EUR
44+3.72 EUR
100+3.11 EUR
250+2.92 EUR
500+2.65 EUR
1000+2.5 EUR
3000+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
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IPB330P10NMATMA1 IPB330P10NMATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb330p10nm-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+5.3 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IPB330P10NMATMA1 IPB330P10NMATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb330p10nm-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1948 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+5.41 EUR
50+5.19 EUR
200+5.06 EUR
500+4.91 EUR
1000+4.28 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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IPB330P10NMATMA1 IPB330P10NMATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB330P10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9a628c74f22 Description: TRENCH >=100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.55mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
auf Bestellung 1633 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10 EUR
10+6.63 EUR
100+4.72 EUR
500+4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IPB330P10NMATMA1 IPB330P10NMATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB330P10NM_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 1166 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.86 EUR
10+7.14 EUR
100+5.32 EUR
500+4.58 EUR
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IPB330P10NMATMA1 IPB330P10NMATMA1 INFINEON 3624245.pdf Description: INFINEON - IPB330P10NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 62 A, 0.0268 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0268ohm
auf Bestellung 825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.59 EUR
33+7.18 EUR
100+4.71 EUR
500+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB330P10NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 62 A, 0.0268 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0268ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0268ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1188 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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1000+4.58 EUR
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Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
139+4.71 EUR
500+4.46 EUR
1000+4.11 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5015 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
37+4.72 EUR
43+4 EUR
44+3.87 EUR
100+3.28 EUR
250+3.17 EUR
500+2.95 EUR
1000+2.84 EUR
3000+2.82 EUR
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Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5015 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
37+4.72 EUR
43+3.92 EUR
44+3.72 EUR
100+3.11 EUR
250+2.92 EUR
500+2.65 EUR
1000+2.5 EUR
3000+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
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Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1000+5.3 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1948 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
33+5.41 EUR
50+5.19 EUR
200+5.06 EUR
500+4.91 EUR
1000+4.28 EUR
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IPB330P10NMATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.55mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
auf Bestellung 1633 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+10 EUR
10+6.63 EUR
100+4.72 EUR
500+4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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MOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 1166 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+10.86 EUR
10+7.14 EUR
100+5.32 EUR
500+4.58 EUR
1000+3.89 EUR
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB330P10NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 62 A, 0.0268 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0268ohm
auf Bestellung 825 Stücke:
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22+11.59 EUR
33+7.18 EUR
100+4.71 EUR
500+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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