Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB339N20NM6ATMA1
IPB339N20NM6ATMA1

IPB339N20NM6ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipb339n20nm6-datasheet-v02_00-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 19000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 14-21 Tag (e)
Mindestmenge: 1000 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPB339N20NM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB339N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39 A, 0.0318 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 125W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm.

Weitere Produktangebote IPB339N20NM6ATMA1 nach Preis ab 2.09 EUR bis 8.62 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB339N20NM6ATMA1 IPB339N20NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB339N20NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d326b4a120c7a Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.8mOhm @ 26A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 52µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB339N20NM6ATMA1 IPB339N20NM6ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb339n20nm6-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 971 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.53 EUR
72+2.46 EUR
73+2.37 EUR
100+2.27 EUR
250+2.2 EUR
500+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB339N20NM6ATMA1 IPB339N20NM6ATMA1 INFINEON 4148571.pdf Description: INFINEON - IPB339N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39 A, 0.0318 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB339N20NM6ATMA1 IPB339N20NM6ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb339n20nm6-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.78 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB339N20NM6ATMA1 IPB339N20NM6ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb339n20nm6-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.82 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB339N20NM6ATMA1 IPB339N20NM6ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb339n20nm6-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 971 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.43 EUR
43+4.05 EUR
56+3 EUR
100+2.61 EUR
500+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB339N20NM6ATMA1 IPB339N20NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB339N20NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d326b4a120c7a Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.8mOhm @ 26A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 52µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.5 EUR
10+4.24 EUR
50+3.26 EUR
100+2.95 EUR
500+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB339N20NM6ATMA1 IPB339N20NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB339N20NM6_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET >150 - 400V
auf Bestellung 8468 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.51 EUR
10+3.28 EUR
100+2.98 EUR
500+2.4 EUR
1000+2.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB339N20NM6ATMA1 IPB339N20NM6ATMA1 INFINEON 4148571.pdf Description: INFINEON - IPB339N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39 A, 0.0318 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.62 EUR
44+5.33 EUR
100+3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB339N20NM6ATMA1 Infineon-IPB339N20NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d326b4a120c7a
IPB339N20NM6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.8mOhm @ 26A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 52µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB339N20NM6ATMA1 infineon-ipb339n20nm6-datasheet-v02_00-en.pdf
IPB339N20NM6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 971 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
71+2.53 EUR
72+2.46 EUR
73+2.37 EUR
100+2.27 EUR
250+2.2 EUR
500+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB339N20NM6ATMA1 4148571.pdf
IPB339N20NM6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB339N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39 A, 0.0318 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB339N20NM6ATMA1 infineon-ipb339n20nm6-datasheet-v02_00-en.pdf
IPB339N20NM6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
31+5.78 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB339N20NM6ATMA1 infineon-ipb339n20nm6-datasheet-v02_00-en.pdf
IPB339N20NM6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
31+5.82 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB339N20NM6ATMA1 infineon-ipb339n20nm6-datasheet-v02_00-en.pdf
IPB339N20NM6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 971 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+6.43 EUR
43+4.05 EUR
56+3 EUR
100+2.61 EUR
500+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB339N20NM6ATMA1 Infineon-IPB339N20NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d326b4a120c7a
IPB339N20NM6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.8mOhm @ 26A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 52µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+6.5 EUR
10+4.24 EUR
50+3.26 EUR
100+2.95 EUR
500+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB339N20NM6ATMA1 Infineon_IPB339N20NM6_DataSheet_v02_00_EN.pdf
IPB339N20NM6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >150 - 400V
auf Bestellung 8468 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+6.51 EUR
10+3.28 EUR
100+2.98 EUR
500+2.4 EUR
1000+2.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB339N20NM6ATMA1 4148571.pdf
IPB339N20NM6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB339N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39 A, 0.0318 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
29+8.62 EUR
44+5.33 EUR
100+3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH