IPB60R040C7ATMA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 17+ | 10.38 EUR |
| 19+ | 9.22 EUR |
| 25+ | 8.9 EUR |
| 100+ | 8.68 EUR |
| 250+ | 8.52 EUR |
| 500+ | 8.37 EUR |
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Technische Details IPB60R040C7ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB60R040C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 227W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm.
Weitere Produktangebote IPB60R040C7ATMA1 nach Preis ab 8.88 EUR bis 28.33 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IPB60R040C7ATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 737 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB60R040C7ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB60R040C7ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
auf Bestellung 978 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPB60R040C7ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.24mA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V |
auf Bestellung 966 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPB60R040C7ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB60R040C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 227W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm |
auf Bestellung 2508 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB60R040C7ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB60R040C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2510 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R040C7ATMA1 | Infineon |
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auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPB60R040C7ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 737 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 18.02 EUR |
| 14+ | 12.2 EUR |
| 25+ | 11.29 EUR |
| 100+ | 8.88 EUR |
| IPB60R040C7ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 18.09 EUR |
| 14+ | 12.38 EUR |
| 50+ | 11.4 EUR |
| 200+ | 11.03 EUR |
| 500+ | 9.67 EUR |
| IPB60R040C7ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
MOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 18.28 EUR |
| 10+ | 12.79 EUR |
| 100+ | 10.42 EUR |
| 500+ | 10.36 EUR |
| 1000+ | 8.96 EUR |
| IPB60R040C7ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
auf Bestellung 966 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 19.43 EUR |
| 10+ | 13.8 EUR |
| 100+ | 10.34 EUR |
| 500+ | 9.56 EUR |
| IPB60R040C7ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R040C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
Description: INFINEON - IPB60R040C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 2508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 25.22 EUR |
| 14+ | 16.64 EUR |
| 50+ | 13.2 EUR |
| 200+ | 11.03 EUR |
| 500+ | 10.79 EUR |
| IPB60R040C7ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R040C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPB60R040C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 28.33 EUR |
| 13+ | 18.93 EUR |
| 50+ | 14.83 EUR |
| 200+ | 12.19 EUR |
| 500+ | 11.94 EUR |
| IPB60R040C7ATMA1 |
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Hersteller: Infineon
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)