Technische Details IPB60R040CFD7ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB60R040CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 227W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 227W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm.
Weitere Produktangebote IPB60R040CFD7ATMA1 nach Preis ab 6.4 EUR bis 20.77 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IPB60R040CFD7ATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB60R040CFD7ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO263-3 Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.25mA Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4351 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPB60R040CFD7ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 740 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB60R040CFD7ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 740 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB60R040CFD7ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 924 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB60R040CFD7ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 924 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB60R040CFD7ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
auf Bestellung 1149 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPB60R040CFD7ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO263-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4351 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.25mA Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 2881 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPB60R040CFD7ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB60R040CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 227W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm |
auf Bestellung 812 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB60R040CFD7ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB60R040CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung Pd: 227W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 227W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm |
auf Bestellung 812 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R040CFD7ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 7.33 EUR |
| IPB60R040CFD7ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO263-3
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.25mA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4351 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO263-3
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.25mA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4351 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 7.53 EUR |
| IPB60R040CFD7ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13+ | 13.99 EUR |
| 18+ | 9.38 EUR |
| 25+ | 8.47 EUR |
| 100+ | 7.75 EUR |
| 250+ | 7.06 EUR |
| 500+ | 6.4 EUR |
| IPB60R040CFD7ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13+ | 13.99 EUR |
| 18+ | 9.59 EUR |
| 25+ | 8.79 EUR |
| 100+ | 8.19 EUR |
| 250+ | 7.64 EUR |
| 500+ | 7.12 EUR |
| IPB60R040CFD7ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 924 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13+ | 14.08 EUR |
| 18+ | 9.57 EUR |
| 100+ | 7.57 EUR |
| 500+ | 7.35 EUR |
| IPB60R040CFD7ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 924 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13+ | 14.08 EUR |
| 18+ | 9.37 EUR |
| 100+ | 7.29 EUR |
| 500+ | 6.96 EUR |
| IPB60R040CFD7ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
MOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 1149 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 17.41 EUR |
| 10+ | 9.73 EUR |
| 100+ | 9.07 EUR |
| 500+ | 8.92 EUR |
| 1000+ | 8.57 EUR |
| IPB60R040CFD7ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4351 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.25mA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4351 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.25mA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2881 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 17.99 EUR |
| 10+ | 12.33 EUR |
| 50+ | 9.9 EUR |
| 100+ | 9.22 EUR |
| IPB60R040CFD7ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R040CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
Description: INFINEON - IPB60R040CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
auf Bestellung 812 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13+ | 20.77 EUR |
| 15+ | 16.24 EUR |
| 18+ | 12.19 EUR |
| 50+ | 11.25 EUR |
| 100+ | 10.31 EUR |
| 250+ | 10.09 EUR |
| IPB60R040CFD7ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R040CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
Description: INFINEON - IPB60R040CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
auf Bestellung 812 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13+ | 20.77 EUR |
| 15+ | 16.24 EUR |
| 18+ | 12.19 EUR |
| 50+ | 11.25 EUR |
| 100+ | 10.31 EUR |
| 250+ | 10.09 EUR |