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IPB60R055CFD7ATMA1

IPB60R055CFD7ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB60R055CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb2eb02953007
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 38A TO263-3
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Technische Details IPB60R055CFD7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB60R055CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.046 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 178W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 178W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB60R055CFD7ATMA1 IPB60R055CFD7ATMA1 Infineon Technologies infineonipb60r055cfd7datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 600V
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Dauer-Drainstrom Id: 38A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 178W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 178W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 38A
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R055CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.046 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046ohm
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50+9.34 EUR
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R055CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.046 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 178W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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14+18.44 EUR
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