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IPB60R099C6

IPB60R099C6 Infineon Technologies

Infineon_IPB60R099C6_DS_v02_03_EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 38A D2PAK-2 CoolMOS C6
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Technische Details IPB60R099C6 Infineon Technologies

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO263-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ C6, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 37.9A, Power dissipation: 278W, Case: PG-TO263-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 99mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IPB60R099C6 IPB60R099C6 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R099C6.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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IPB60R099C6
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
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