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IPB60R099C7ATMA1 Infineon Technologies

Name: IPB60R099C7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 31668792-5
Price: 556.5 EUR
Availability: InStock

15infineon-ipb60r099c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46258fc0bc1015917.pdf

Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Technische Details IPB60R099C7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB60R099C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 110W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IPB60R099C7ATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Infineon-IPB60R099C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015917abf8885e9d

Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V

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Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IPB60R099C7ATMA1

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Infineon_IPB60R099C7_DS_v02_00_EN-1731723.pdf

MOSFETs HIGH POWER_NEW

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IPB60R099C7ATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V

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IPB60R099C7ATMA1

Hersteller : INFINEON

Description: INFINEON - IPB60R099C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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Description: INFINEON - IPB60R099C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA35F472CB8A143&compId=IPB60R099C7.pdf?ci_sign=5b859999261ebe71403a2659df15f5a9bde9af22

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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