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IPB60R165CPATMA1

IPB60R165CPATMA1 Infineon Technologies

IPB60R165CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42dd38f48fc
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Technische Details IPB60R165CPATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB60R165CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.165 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 192W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm.

Weitere Produktangebote IPB60R165CPATMA1 nach Preis ab 3.62 EUR bis 11.67 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB60R165CPATMA1 IPB60R165CPATMA1 INFINEON INFNS14093-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB60R165CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.165 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
auf Bestellung 1106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.88 EUR
500+4.09 EUR
1000+3.75 EUR
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IPB60R165CPATMA1 IPB60R165CPATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB60R165CP_DS_v02_01_en.pdf MOSFETs N-Ch 650V 21A D2PAK-2 CoolMOS CP
auf Bestellung 681 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.73 EUR
10+5.81 EUR
100+4.13 EUR
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1000+3.88 EUR
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V
auf Bestellung 5772 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.08 EUR
10+6.68 EUR
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 192W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
auf Bestellung 1106 Stücke:
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33+7.1 EUR
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IPB60R165CPATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R165CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.165 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
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MOSFETs N-Ch 650V 21A D2PAK-2 CoolMOS CP
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V
auf Bestellung 5772 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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3+10.08 EUR
10+6.68 EUR
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100+4.75 EUR
500+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IPB60R165CPATMA1 INFNS14093-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB60R165CPATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R165CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.165 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 192W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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22+11.67 EUR
33+7.1 EUR
100+4.88 EUR
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